[發明專利]半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710061607.4
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN107039455B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 謝志宏;廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導體元件，包括：

一第一鰭狀場效晶體管，包括：一第一鰭結構、一第一柵極電極結構位于部分的該第一鰭結構之上、及一第一源極/漏極區域，該第一鰭結構往一第一方向延伸，且該第一柵極電極結構往與該第一方向交叉的一第二方向延伸；及

一第二鰭狀場效晶體管，包括：一第二鰭結構、一第二柵極電極結構位于部分的該第二鰭結構之上、及一第二源極/漏極區域，該第二鰭結構往該第一方向延伸，且該第二柵極電極結構往該第二方向延伸，其中：

一合并的磊晶層，形成于該第一鰭結構之上的該第一源極/漏極區域中，

一第二磊晶層，形成于該第二鰭結構之上的該第二源極/漏極區域中，及

該第一鰭結構于該第二方向的寬度小于該第二鰭結構于該第二方向的寬度，其中該第一鰭狀場效晶體管還包括一第三鰭結構往該第一方向延伸，并于該第二方向相鄰于該第一鰭結構，該第一柵極電極結構位于部分的該第三鰭結構之上，及

該合并的磊晶層形成于該第三鰭結構之上，其寬度小于該第二鰭結構的寬度。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中：

該合并的磊晶層與該第一鰭結構由不同材料制成，且該第二磊晶層材料與該第二鰭結構由不同材料制成，及

介于該合并的磊晶層及至少一個該第一鰭結構之間的一第一界面比介于該第二磊晶層及至少一個該第二鰭結構之間的一第二界面更靠近一基板。

3.如權利要求2所述的半導體元件，還包括一隔離絕緣層，且該第一及第二鰭結構的底部嵌入該隔離絕緣層中，

其中該第一界面位于該隔離絕緣層的一上表面以下。

4.如權利要求3所述的半導體元件，其中該第二界面位于該隔離絕緣層的該上表面以上。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一鰭結構及該第二鰭結構于該第二方向上彼此相鄰。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其中該第一柵極結構及該第二柵極結構相連以組成一柵極結構。

7.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第三鰭結構于該第二方向的寬度與該第一鰭結構于該第二方向的寬度相同。

8.一種半導體元件，包括一第一靜態隨機存取存儲器單元，其中該第一靜態隨機存取存儲器單元包括：

一第一鰭狀場效晶體管，由一第一鰭結構及一第二鰭結構，及一第一柵極電極所形成，該第一柵極電極位于部分的該第一鰭結構及部分的該第二鰭結構上；

一第二鰭狀場效晶體管，由該第一鰭結構及該第二鰭結構，及一第二柵極電極所形成，該第二柵極電極位于部分的該第一鰭結構及部分的該第二鰭結構上；

一第三鰭狀場效晶體管，由一第三鰭結構及該第二柵極電極所形成，該第二柵極結構位于部分的該第三鰭結構上；

一第四鰭狀場效晶體管，由一第四鰭結構及一第五鰭結構，及一第三柵極電極所形成，該第三柵極電極位于部分的該第四鰭結構及部分的該第五鰭結構上；

一第五鰭狀場效晶體管，由該第四鰭結構及該第五鰭結構，及一第四柵極電極所形成，該第四柵極電極位于部分的該第四鰭結構及部分的該第五鰭結構上；及

一第六鰭狀場效晶體管，由一第六鰭結構及該第四柵極電極所形成，該第四柵極電極位于部分的該第六鰭結構上，其中：

該第一、第二、第三、第六、第五、及第四鰭結構往一第一方向延伸，并以此順序在一第二方向上排列，該第二方向與該第一方向交叉，

該第一至第四柵極電極往該第二方向延伸，

該第一、第二、第五、及第四鰭結構的寬度小于該第三及第六鰭結構的寬度，其中：

該第一鰭狀場效晶體管還包括一第一源極/漏極區域，

該第一源極/漏極區域包括一合并的第一磊晶層形成于該第一鰭結構及該第二鰭結構之上。

9.如權利要求8所述的半導體元件，還包括：

一合并的第二磊晶層，連接并形成于該第四鰭結構及該第五鰭結構之上。