[發明專利]硬掩膜的自限性平坦化

有效

• 申請號: 201710061603.6
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN107039265B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 楊鄧良;樸俊洪
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3065
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;邱曉敏

1.一種用于處理半導體襯底的方法，其包括：

a)提供襯底疊層，所述襯底疊層包括第一層、以間隔關系布置在所述第一層上的多個芯和布置在所述第一層下方的一個或多個底層；

b)在所述第一層和所述多個芯上沉積共形層；

c)部分蝕刻所述共形層以產生與所述多個芯的側壁相鄰布置的間隔件，其中所述共形層的所述部分蝕刻使得所述間隔件的上部具有不對稱輪廓；

d)相對于所述間隔件和所述第一層選擇性地蝕刻所述多個芯；

e)在所述間隔件的側壁上沉積聚合物膜；和

f)蝕刻所述間隔件的所述上部以去除所述不對稱輪廓并平坦化所述間隔件的所述上部。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包括：g)蝕刻所述聚合物膜。

3.根據權利要求2所述的方法，其還包括重復b)至g)一次或多次。

4.根據權利要求1所述的方法，其中f)在襯底處理室中執行，所述襯底處理室包括襯底支撐件、上部室區域、布置在所述上部室區域外部的感應線圈、包括所述襯底支撐件的下部室區域和布置在所述上部室區域和所述下部室區域之間的氣體分配裝置。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述氣體分配裝置包括與所述上部室區域和所述下部室區域流體連通的多個孔。

6.根據權利要求5所述的方法，其還包括：

在f)期間將所述襯底處理室中的壓強控制在0.4托至10托的范圍內；和

向所述上部室區域供應包括氟基氣體的蝕刻氣體混合物。

7.根據權利要求4所述的方法，其還包括在f)期間向所述感應線圈提供200W至3kW范圍內的功率。

8.根據權利要求4所述的方法，其還包括在f)期間向所述襯底支撐件提供50W至1000W范圍內的RF偏置功率。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻氣體混合物包括選自由六氟化硫(SF₆)、三氟化氮(NF₃)、四氟化碳(CF₄)、二氟甲烷(CH₂F₂)、氟甲烷(CH₃F)、六氟-2-丁炔(C₄F₆)和八氟環丁烷(C₄F₈)組成的組中的氣體。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述蝕刻氣體混合物還包括選自由氬(Ar)和氦(He)組成的組中的一種或多種氣體。

11.根據權利要求1所述的方法，其中b)中的沉積所述共形層包括原子層沉積。

12.根據權利要求1所述的方法，其中c)中的部分蝕刻在感應耦合等離子體(ICP)室中進行。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個芯包括非晶硅膜。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述共形層包括從由氮化硅、硅和二氧化硅組成的組中選擇的材料。

15.根據權利要求1所述的方法，其中d)在襯底處理室中執行，所述襯底處理室包括襯底支撐件、上部室區域、布置在所述上部室區域外部的感應線圈、包括所述襯底支撐件的下部室區域和布置在所述上部室區域和所述下部室區域之間的氣體分配裝置。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述氣體分配裝置包括與所述上部室區域和所述下部室區域流體連通的多個孔。