[發(fā)明專利]像素電路和像素矩陣

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710061570.5
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN108364609B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 佐野景一;西川龍司
• 申請（專利權）人: 子悅光電（深圳）有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;鄭特強

1.一種像素電路，包括：

一選擇晶體管，包括一控制電極、一第一電極與一第二電極，其中該控制電極耦接至一柵極線，用以接收一選擇信號，并且該第一電極耦接至一數(shù)據(jù)線；

一驅(qū)動晶體管，包括一控制電極、一第一電極與一第二電極，其中該控制電極耦接至該選擇晶體管的該第二電極，并且該第一電極耦接至一電源線；

一發(fā)光元件，耦接至該驅(qū)動晶體管的該第二電極，并且根據(jù)該驅(qū)動晶體管所提供的一電流發(fā)光；

一第一電容，包括耦接至該驅(qū)動晶體管的該控制電極的一第一端點，以及耦接至一發(fā)射信號線的一第二端點；以及

一參考晶體管，包括耦接至一參考信號線的一控制電極、一第一電極以及一第二電極，其中該參考信號線提供切換于一第一既定電平與一第二既定電平的一可調(diào)電壓，并且該參考晶體管的該第一電極耦接至該驅(qū)動晶體管的該控制電極：

其中該像素電路包含于一像素矩陣中，并且該參考晶體管的該第二電極耦接至一第二電容，其中該第二電容包含于該像素矩陣內(nèi)的另一像素電路內(nèi)。

2.如權利要求1所述的像素電路，其中當該選擇晶體管被導通時，該數(shù)據(jù)線上的一數(shù)據(jù)電壓被供應至該參考晶體管，并且當該參考晶體管被導通時，該數(shù)據(jù)電壓被儲存于該第一電容與該第二電容。

3.如權利要求2所述的像素電路，其中當該選擇晶體管被關閉時，該發(fā)射信號線上的一電壓產(chǎn)生變化，并且于該電壓變化期間，該參考晶體管由被導通切換為被關閉。

4.如權利要求3所述的像素電路，其中因應該發(fā)射信號線上的該電壓變化，該驅(qū)動晶體管的該控制電極的一電壓被改變，使得該驅(qū)動晶體管被導通，以提供該電流至該發(fā)光元件。

5.如權利要求3所述的像素電路，其中該驅(qū)動晶體管與該參考晶體管為P型晶體管，并且于該選擇晶體管被關閉后，該發(fā)射信號線上的該電壓由一高電壓電平轉(zhuǎn)變?yōu)橐坏碗妷弘娖健?/p>

6.如權利要求3所述的像素電路，其中該驅(qū)動晶體管與該參考晶體管為N型晶體管，并且于該選擇晶體管被關閉后，該發(fā)射信號線上的該電壓由一低電壓電平轉(zhuǎn)變?yōu)橐桓唠妷弘娖健?/p>

7.如權利要求1所述的像素電路，其中該驅(qū)動晶體管的一源極-溝道接面與該參考晶體管的一源極-溝道接面位于相同的激光脈沖間距區(qū)域，并且對齊于相同的源極-溝道方向。

8.一種像素矩陣，包括：

多個具有相同結構的像素電路，其中各像素電路包括：

一選擇晶體管，包括一控制電極、一第一電極以及一第二電極，其中該控制電極耦接至一柵極線，用以接收一選擇信號，并且該第一電極耦接至一數(shù)據(jù)線；

一驅(qū)動晶體管，包括一控制電極、一第一電極與一第二電極，其中該控制電極耦接至該選擇晶體管的該第二電極，該第一電極耦接至一電源線；

一發(fā)光元件，耦接至該驅(qū)動晶體管的該第二電極，并且根據(jù)該驅(qū)動晶體管所提供的一電流發(fā)光；

一第一電容，包括耦接至該驅(qū)動晶體管的該控制電極的一第一端點，以及耦接至一發(fā)射信號線的一第二端點；以及

一參考晶體管，包括耦接至一參考信號線的一控制電極、一第一電極以及一第二電極，其中該參考信號線提供切換于一第一既定電平與一第二既定電平的一可調(diào)電壓，并且該參考晶體管的該第一電極耦接至該驅(qū)動晶體管的該控制電極，

并且其中一第一像素電路的該參考晶體管的該第二電極耦接至一第二像素電路的該第一電容。

9.如權利要求8所述的像素矩陣，其中該第一像素電路的該第一電容與該第二像素電路的該第一電容具有相同的電容量。

10.如權利要求8所述的像素矩陣，其中當該第一像素電路的該選擇晶體管被導通時，該數(shù)據(jù)線上的一數(shù)據(jù)電壓被供應至該第一像素電路的該參考晶體管，并且當該第一像素電路的該參考晶體管被導通時，該數(shù)據(jù)電壓被儲存于該第一像素電路的該第一電容與該第二像素電路的該第一電容。