[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710061437.X
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN107180822B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 仲野逸人;仲村秀世
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L25/03
• 分類號: H01L25/03
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一半導體模塊；

第二半導體模塊，其內置有第二半導體元件，所述第二半導體元件的開關電壓的閾值比所述第一半導體模塊的第一半導體元件的開關電壓的閾值低；以及

匯流排，將所述第一半導體模塊和所述第二半導體模塊的各個外部端子相對于共用端子進行并聯，

其中，所述第二半導體模塊在所述匯流排上的連接點至所述共用端子的電流通路的電感大于所述第一半導體模塊在所述匯流排上的連接點至所述共用端子的電流通路的電感。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第二半導體模塊在所述匯流排上的連接點到所述共用端子的電感與該連接點到所述第二半導體模塊內部的第二半導體元件的電流通路的電感之和比所述匯流排上所述第一半導體模塊的連接點到所述共用端子的電感與該連接點到所述第一半導體模塊內部的第一半導體元件的電流通路的電感之和大。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

內置于所述第一半導體模塊中的第一半導體元件的開關電壓的閾值與內置于所述第二半導體模塊中的第二半導體元件的開關電壓的閾值之差取決于從所述匯流排的共用端子到各半導體模塊的連接點為止的電流通路的各電感之差。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

當內置于所述第一半導體模塊中的第一半導體元件的開關電壓的閾值與內置于所述第二半導體模塊中的第二半導體元件的開關電壓的閾值之差為1.8V時，從所述匯流排的共用端子到各半導體模塊的連接點為止的電流通路的各電感之差為10nH。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還具有將所述第一半導體模塊和所述第二半導體模塊的各個其他外部端子相對于其他共用端子進行并聯的其他匯流排，

所述匯流排和所述其他匯流排配置成使電流朝相反方向流通的部分彼此對置。

6.一種權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

測定內置在多個半導體模塊中的各個半導體元件的開關電壓的閾值的步驟；

在多個半導體元件中，選擇要內置于所述第一半導體模塊中的第一半導體元件，選擇開關電壓的閾值比要內置于所述第一半導體模塊中的第一半導體元件低的第二半導體元件用以內置于所述第二半導體模塊內的步驟；

將所述第一半導體模塊連接到所述匯流排上的連接點上的步驟；以及

將所述第二半導體模塊連接到所述匯流排上的連接點上的步驟，以使該連接點至所述共用端子為止的電感比所述第一半導體模塊在所述匯流排上的連接點至所述共用端子為止的電感大。

7.權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

組裝所述第一半導體模塊和所述第二半導體模塊的步驟；

測定從所述匯流排的共用端子到各個半導體模塊的連接點為止的電感的步驟；以及

根據從所述匯流排的共用端子到各個半導體模塊的連接點為止的各電感之差，確定所述半導體元件的開關電壓的閾值能夠容許的差的步驟。