[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710061181.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN107068678A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金柱然;樸起寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板；以及

分別形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的第一晶體管和第二晶體管，

其中所述第一晶體管包括在所述基板上的第一柵絕緣層、在所述第一柵絕緣層上以與所述第一柵絕緣層接觸的第一下導(dǎo)電層、在所述第一下導(dǎo)電層上的第一蝕刻停止層以及在所述第一蝕刻停止層上的第一上柵電極，以及

所述第二晶體管包括在所述基板上的第二柵絕緣層、在所述第二柵絕緣層上以與所述第二柵絕緣層接觸的第二下導(dǎo)電層、在所述第二下導(dǎo)電層上的第二蝕刻停止層以及在所述第二蝕刻停止層上的第二上柵電極，

其中所述第一下導(dǎo)電層的厚度小于所述第二下導(dǎo)電層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的每個(gè)是n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，以及

其中所述第一晶體管的閾值電壓小于所述第二晶體管的閾值電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一上柵電極包括形成在所述第一蝕刻停止層上以與所述第一蝕刻停止層接觸的第一插入層以及形成在所述第一插入層上的第一填充層，以及

所述第二上柵電極包括形成在所述第二蝕刻停止層上以與所述第二蝕刻停止層接觸的第二插入層以及形成在所述第二插入層上的第二填充層，

其中所述第一插入層和所述第二插入層包括相同的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一上柵電極包含形成在所述第一蝕刻停止層上以與所述第一蝕刻停止層接觸的第一功函數(shù)控制層、形成在所述第一功函數(shù)控制層上的第一插入層以及形成在所述第一插入層上的第一填充層，以及

所述第二上柵電極包含形成在所述第二蝕刻停止層上以與所述第二蝕刻停止層接觸的第二功函數(shù)控制層、形成在所述第二功函數(shù)控制層上的第二插入層以及形成在所述第二插入層上的第二填充層，

其中所述第一功函數(shù)控制層和所述第二功函數(shù)控制層包括相同的材料，并且所述第一插入層和所述第二插入層包括相同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的每個(gè)是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，

其中所述第一晶體管的閾值電壓大于所述第二晶體管的閾值電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一上柵電極包括形成在所述第一蝕刻停止層上以與所述第一蝕刻停止層接觸的第一功函數(shù)控制層、形成在所述第一功函數(shù)控制層上的第一插入層以及形成在所述第一插入層上的第一填充層，以及

所述第二上柵電極包含形成在所述第二蝕刻停止層上以與所述第二蝕刻停止層接觸的第二功函數(shù)控制層、形成在所述第二功函數(shù)控制層上的第二插入層以及形成在所述第二插入層上的第二填充層，

其中所述第一功函數(shù)控制層和所述第二功函數(shù)控制層包括相同的材料，以及所述第一插入層和所述第二插入層包括相同的材料。