[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710061113.6
• 申請(qǐng)日: 2017-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN107017206B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林國(guó)楹;蔡騰群;林柏裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包含：

提供一半導(dǎo)體基板，其中該半導(dǎo)體基板具有一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，該第一區(qū)域和該第二區(qū)域分別摻雜第一摻雜物和第二摻雜物，且該第一摻雜物和第二摻雜物為相反型態(tài)；

磊晶成長(zhǎng)一第一半導(dǎo)體層，其位在該半導(dǎo)體基板上，且該第一半導(dǎo)體層摻雜一第三摻雜物，且該第一摻雜物和第三摻雜物為相反型態(tài)；

沉積一介電硬罩層在該第一半導(dǎo)體層上；

將該介電硬罩層圖案化，以在該第一區(qū)域上形成一開口；

朝該半導(dǎo)體基板延伸該開口；

磊晶成長(zhǎng)一第二半導(dǎo)體層在該開口中，其中該半導(dǎo)體層摻雜一第四摻雜物，該第一摻雜物和第四摻雜物為相同型態(tài)，而且該第二半導(dǎo)體層的一表面高于直接位在該第二區(qū)域上方的該第一半導(dǎo)體層的一上表面，且低于直接位在該第二區(qū)域上方的該第二區(qū)域上方的該介電硬罩層的一上表面；

移除該介電硬罩層；以及

執(zhí)行一第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程，以將該第一半導(dǎo)體層和該第二半導(dǎo)體層平坦化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在沉積該介電硬罩層之步驟前，更進(jìn)一步地包含：

執(zhí)行一第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程于該第一半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中該第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程只執(zhí)行于當(dāng)該第一半導(dǎo)體層的表面粗糙度Rq大于0.5納米 。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，延伸該開口時(shí)，部分地移除位于該開口內(nèi)的該第一半導(dǎo)體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中延伸該開口時(shí)，完全地移除位于該開口內(nèi)的該第一半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中延伸該開口時(shí)，完全地移除位于該開口內(nèi)的該第一半導(dǎo)體層，且部分地移除位于該開口內(nèi)的該第一區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在磊晶成長(zhǎng)該第一半導(dǎo)體層之前，更進(jìn)一步地包含：

沉積另一個(gè)介電硬罩層在該半導(dǎo)體基板上；

將該另一個(gè)介電硬罩層圖案化，以形成另一個(gè)開口，其暴露該第二區(qū)域；以及

將該第二區(qū)域經(jīng)由該另一個(gè)開口形成凹陷，其中：

磊晶成長(zhǎng)該第一半導(dǎo)體層包含使部分的該第一半導(dǎo)體層磊晶成長(zhǎng)于該另一個(gè)開口內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層的一上表面高于位在該第一區(qū)域之該另一個(gè)介電硬罩層的一上表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，更進(jìn)一步地包含：

在該第一半導(dǎo)體層的該部分磊晶成長(zhǎng)于該另一個(gè)開口內(nèi)之后，執(zhí)行一第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程于第一半導(dǎo)體層，其中該第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程停止于該另一個(gè)介電硬罩層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中調(diào)整該第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除該第一半導(dǎo)體層快于移除該另一個(gè)介電硬罩層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在沉積該介電硬罩層在該第一半導(dǎo)體層上之前，更進(jìn)一步地包含：

移除位在該第一區(qū)域上之該另一個(gè)介電硬罩層，其中沉積該介電硬罩層使其在該第二區(qū)域高于在該第一區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，藉由一第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，移除該介電硬罩層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，調(diào)整該第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除該介電硬罩層的速率至少為移除該第一和第二半導(dǎo)體層的速率的10倍。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中調(diào)整該第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除該第二半導(dǎo)體層的速度為移除該第一半導(dǎo)體層的1至5倍。