[發明專利]體聲波諧振器、濾波器和體聲波諧振器的制造方法

有效

• 申請號: 201710060870.1
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN107689781B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 李泰京;姜仁瑛;申蘭姬;孫晉淑
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;劉奕晴

1.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

第一電極，設置在基板之上；

壓電主體，設置在第一電極上，并包括多個壓電層，所述多個壓電層中的每個包括具有摻雜材料的氮化鋁；

第二電極，設置在壓電主體上，

其中，所述多個壓電層中的至少一個是受壓壓電層，所述受壓壓電層設置在壓電主體的與第一電極直接接觸的部分中，并且

其中，所述受壓壓電層在c軸方向上的晶格常數與所述受壓壓電層在a軸方向上的晶格常數的比c/a大于所述多個壓電層中的另一壓電層在c軸方向上的晶格常數與所述另一壓電層在a軸方向上的晶格常數的比c/a。

2.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括形成在第一電極與基板之間的氣腔。

3.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述摻雜材料包括從由鈧、鉺、釔、鑭、鈦、鋯和鉿組成的組中選擇的一種或其組合。

4.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述多個壓電層中的每個中包含的摻雜材料的含量為1at％至20at％。

5.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述多個壓電層中的受壓壓電層的c軸晶格常數比所述多個壓電層中的其余壓電層的各自的c軸晶格常數大。

6.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述受壓壓電層的密度超過3.4681g/cm³。

7.根據權利要求6所述的體聲波諧振器，其中，與在具有相同摻雜但不存在受壓壓電層的另一氮化鋁壓電層上形成的其他壓電層相比，所述多個壓電層中的形成在受壓壓電層上的另一壓電層每單位面積產生的異常生長數更少。

8.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述受壓壓電層的折射率超過2.1135。

9.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電主體的殘余應力為拉應力。

10.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，第一電極由從由金、鈦、鉭、鉬、釕、鉑、鎢、鋁、鎳和銥組成的組中選擇的一種或他們的合金形成。

11.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，第一電極包括鉬或其合金，

第一電極的晶格常數的值大于

12.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

第一電極，設置在基板之上；

壓電主體，設置在第一電極上，并包括多個壓電層，所述多個壓電層中的每個包括具有摻雜材料的氮化鋁；

第二電極，設置在壓電主體上，

其中，所述多個壓電層中的至少一個是受壓壓電層，并且

其中，所述第一電極在a軸方向上的晶格常數比在未施加應力的狀態下形成的第一電極在a軸方向上的晶格常數大。

13.一種濾波器，包括：

多個薄膜體聲波諧振器，被構造為信號濾波器，

其中，所述多個薄膜體聲波諧振器中的至少一個為根據權利要求1至12中任一項所述的體聲波諧振器。