[發(fā)明專利]基于微加熱器的電加熱吸煙系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710060868.4
• 申請(qǐng)日: 2017-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN108338417B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉劍;王維維;胡世龍;阮藝斌;惠建權(quán);萬強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 貴州中煙工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): A24F40/46
• 分類號(hào): A24F40/46
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李海建

本發(fā)明公開了一種基于微加熱器的電加熱吸煙系統(tǒng)，包括加熱器，該加熱器包括：外殼，位于外殼內(nèi)的加熱筒，位于加熱筒內(nèi)的加熱芯；其中，加熱筒和/或加熱芯設(shè)有微加熱器，加熱筒和/或加熱芯具有紅外加熱結(jié)構(gòu)。本發(fā)明公開的基于微加熱器的電加熱吸煙系統(tǒng)，通過采用微加熱器和紅外加熱結(jié)構(gòu)共同加熱，實(shí)現(xiàn)了利用兩種加熱方式進(jìn)行加熱，較現(xiàn)有技術(shù)僅采用一種加熱方式相比，有效提高了加熱效率，縮短了第一口抽吸的等待時(shí)間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及卷煙技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種基于微加熱器的電加熱吸煙系統(tǒng)。

背景技術(shù)

雖然吸煙危害人體健康，但是仍存在吸煙者。因此，開發(fā)既能滿足吸煙者的需求，又能降低危害性的新型煙草制品非常重要，這也是目前煙草行業(yè)的一個(gè)重點(diǎn)研究領(lǐng)域。

目前，電加熱吸煙系統(tǒng)是煙草行業(yè)研究的熱點(diǎn)，該電加熱吸煙系統(tǒng)通過對(duì)煙體(煙草材料，例如煙支或者煙絲)進(jìn)行加熱，煙體在較低溫度下產(chǎn)生的有害氣體較少，故在較低溫度下生成煙霧供吸煙者抽吸。

電加熱吸煙系統(tǒng)中，采用加熱器對(duì)煙體進(jìn)行加熱，一般采用單純的電加熱方式，加熱效率低，熱量損耗大，消費(fèi)者第一口抽吸的等待時(shí)間較長(zhǎng)，一般需要15到30秒，甚至更長(zhǎng)，無法做到即時(shí)使用，難以滿足消費(fèi)者對(duì)抽吸體驗(yàn)的更高需求。

綜上所述，如何加熱煙體，以提高加熱效率，縮短第一口抽吸的等待時(shí)間，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種基于微加熱器的電加熱吸煙系統(tǒng)，以提高加熱效率，縮短第一口抽吸的等待時(shí)間。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種基于微加熱器的電加熱吸煙系統(tǒng)，包括加熱器，所述加熱器包括：外殼，位于所述外殼內(nèi)的加熱筒，位于所述加熱筒內(nèi)的加熱芯；

其中，所述加熱筒和/或所述加熱芯設(shè)有微加熱器，所述加熱筒和/或所述加熱芯具有紅外加熱結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述加熱芯為柱狀或片狀；所述加熱芯為柱狀時(shí)，所述加熱芯的橫截面為圓形或多邊形。

優(yōu)選地，所述加熱芯設(shè)有所述微加熱器；所述加熱芯為片狀時(shí)，所述微加熱器設(shè)于所述加熱芯的上表面和下表面；所述加熱芯為柱狀時(shí)；所述微加熱器設(shè)于所述加熱芯的側(cè)面。

優(yōu)選地，所述微加熱器至少為兩個(gè)，所述微加熱器通過串聯(lián)或并聯(lián)方式連接；

所述微加熱器通過串聯(lián)方式連接時(shí)，所述加熱器實(shí)現(xiàn)同時(shí)加熱；所述微加熱器通過并聯(lián)方式連接時(shí)，所述加熱器實(shí)現(xiàn)分段加熱。

優(yōu)選地，所述微加熱器為一個(gè)。

優(yōu)選地，所述微加熱器包括：充當(dāng)熱源的薄膜電阻，機(jī)械支撐所述薄膜電阻的介質(zhì)薄膜，覆蓋在所述薄膜電阻上的薄膜保護(hù)層；

其中，所述薄膜電阻利用光刻工藝制作于所述介質(zhì)薄膜的表面。

優(yōu)選地，所述薄膜電阻是由導(dǎo)電材料形成的一條回路組成；或者，所述薄膜電阻是由導(dǎo)電材料形成的至少兩條回路并聯(lián)構(gòu)成。

優(yōu)選地，所述介質(zhì)薄膜的材料為硅、氧化硅、氮化硅和碳化硅中的一種或者至少兩種組成的復(fù)合材料，所述薄膜保護(hù)層的材料為硅、氧化硅、氮化硅和碳化硅中的一種或者至少兩種組成的復(fù)合材料，所述介質(zhì)薄膜和所述薄膜保護(hù)層的耐溫溫度不小于600℃；

所述薄膜電阻的材料為多晶硅半導(dǎo)體、碳化硅半導(dǎo)體、擴(kuò)散硅半導(dǎo)體、鉑、鎢、或鎳鉻合金，所述薄膜電阻的耐溫溫度不小于650℃。

優(yōu)選地，所述紅外加熱結(jié)構(gòu)的熱源的供熱方式為可控的電阻發(fā)熱；用于電阻發(fā)熱的電阻發(fā)熱層設(shè)置在基體的內(nèi)壁、基體的外壁或者基體的內(nèi)部，所述基體為陶瓷材料。