[發明專利]一種梯度放大器及其調制方法

有效

• 申請號: 201710060847.2
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN106772163B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 蔡冬日
• 申請（專利權）人: 上海東軟醫療科技有限公司
• 主分類號: G01R33/385
• 分類號: G01R33/385
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種梯度放大器，其特征在于，包括：

多個工作半橋組，每個工作半橋組中包括兩個工作半橋，每個工作半橋中分別包括兩個IGBT(絕緣柵雙極型晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor)，每個工作半橋中一個IGBT的發射極與另一個IGBT的集電極相連；

其中，每個工作半橋組中，每個工作半橋內的兩個IGBT的連接點之間連接有梯度線圈，使得電源的輸出電流流經工作半橋組中的一個工作半橋中的一個IGBT及所述梯度線圈之后，再流經工作半橋組中的另一個工作半橋中的另一個IGBT；

多個續流半橋組，每個續流半橋組中包括兩個續流半橋，每個續流半橋中分別包括兩個IGBT，每個續流半橋中一個IGBT的發射極與另一個IGBT的發射極相連；

其中，工作半橋組中，一個工作半橋內的兩個IGBT的連接點與續流半橋組中的一個續流半橋中的一個IGBT的集電極相連，該續流半橋的另一個IGBT的集電極與該續流半橋組中另一個續流半橋中的一個IGBT的集電極相連，該續流半橋組中另一個續流半橋中的另一個IGBT的集電極與工作半橋組中另一個工作半橋內的兩個IGBT的連接點相連。

2.根據權利要求1所述的梯度放大器，其特征在于，還包括：

多個組合電感；

其中，所述組合電感連接在每個工作半橋組中每個工作半橋內的兩個IGBT的連接點與所述梯度線圈之間。

3.根據權利要求1所述的梯度放大器，其特征在于，還包括：

工作半橋驅動組件，與工作半橋組中每個工作半橋內的每個IGBT的門極相連，以移相加分頻的方式為每個工作半橋提供驅動。

4.根據權利要求1所述的梯度放大器，其特征在于，還包括：

續流半橋驅動組件，與續流半橋組中每個續流半橋內的每個IGBT的門極相連，以移相加分頻的方式為每個工作半橋提供驅動。

5.一種梯度放大器的調制方法，其特征在于，所述梯度放大器包括多個工作半橋組，每個工作半橋組中包括兩個工作半橋，每個工作半橋中分別包括兩個IGBT，所述梯度放大器還包括多個續流半橋組，每個續流半橋組中包括兩個續流半橋，每個續流半橋中分別包括兩個IGBT，所述方法包括：

以移相加分頻的方式對每個所述工作半橋中的IGBT進行驅動；

以移相加分頻的方式對每個所述續流半橋中的IGBT進行驅動。