[發明專利]一種氣體流量控制裝置及等離子體刻蝕設備

有效

• 申請號: 201710060764.3
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN106653660B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 常新園;高才勇;劉浩;常維;王志強;呂俊君;崔镕各
• 申請（專利權）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/3065;G05D7/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種氣體流量控制裝置，包括內環管道和外環管道；其特征在于，還包括獨立的至少兩個管路系統；其中，

各所述管路系統包括第一支路和第二支路，所述第一支路與所述內環管道相連，所述第二支路與所述外環管道相連；

其中，所述第一支路包括：第一進氣管路，連接在所述內環管道與所述第一進氣管路之間的第一小流量管路，連接在所述內環管道與所述第一進氣管路之間的第一大流量管路，設置在所述第一小流量管路上的第一流量控制器和設置在所述第一大流量管路上的第二流量控制器；

所述第二支路包括：第二進氣管路、連接在所述外環管道與所述第二進氣管路之間的第二小流量管路，連接在所述外環管道與所述第二進氣管路之間的第二大流量管路，設置在所述第二小流量管路上的第一流量控制器和設置在所述第二大流量管路上的第二流量控制器；

其中，所述第一進氣管路和所述第二進氣管路為同一進氣管路；所述第一小流量管路和所述第二小流量管路通過同一管路與進氣管路相連；所述第一大流量管路和所述第二大流量管路通過同一管路與進氣管路相連。

2.一種等離子體刻蝕設備，包括用于刻蝕反應的腔室，其特征在于，還包括如權利要求1所述的氣體流量控制裝置，所述氣體流量控制裝置通過內環管道和外環管道向所述腔室通入氣體。