[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710060649.6
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN107104134B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 江間泰示;三沢信裕;粂野一幸;安田真
• 申請（專利權）人: 聯華電子日本株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/64
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;金鵬

1.一種半導體裝置，包括：

第一多晶硅，包含第一濃度的第一雜質并且具有第一寬度；以及

第二多晶硅，包含比所述第一濃度低的第二濃度的第一雜質，并且具有比所述第一寬度大的第二寬度，

其中：

所述第一多晶硅的溫度系數的符號在所述第一濃度處改變；

所述第二多晶硅的溫度系數的符號在所述第二濃度處改變；以及

所述第一多晶硅和所述第二多晶硅電連接而形成作為電阻元件。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一濃度和所述第二濃度高于或等于1×10²⁰原子/cm³并且低于或等于1×10²¹原子/cm³。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一雜質是p型雜質。

4.一種半導體裝置，包括：

第一多晶硅，具有負溫度系數并且具有第一寬度；以及

第二多晶硅，具有正溫度系數并且具有大于所述第一寬度的第二寬度，

其中：

所述第一多晶硅和所述第二多晶硅電連接而形成作為電阻元件；

所述第一多晶硅包含第一濃度的第一雜質；

所述第二多晶硅包含等于或低于所述第一濃度的第二濃度的第一雜質；以及

所述第二多晶硅與所述第一多晶硅的組成比是使得所述第一多晶硅和所述第二多晶硅連接時的溫度系數的絕對值被最小化的組成比。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述第一濃度和所述第二濃度高于或等于1×10²⁰原子/cm³并且低于或等于1×10²¹原子/cm³。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述第一雜質是p型雜質。

7.一種半導體裝置的制造方法，包括：

獲取第一多晶硅和第二多晶硅的第一雜質的濃度與溫度系數之間的關系，所述第一多晶硅具有第一寬度，所述第二多晶硅具有大于所述第一寬度的第二寬度；

基于所述關系，設定所述第一多晶硅中的所述第一雜質的第一濃度和所述第二多晶硅中的所述第一雜質的第二濃度；

形成包含所述第一濃度的第一雜質的所述第一多晶硅和包含所述第二濃度的第一雜質的所述第二多晶硅；以及

將所述第一多晶硅和所述第二多晶硅電連接而形成作為電阻元件。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中：

所述第二濃度低于所述第一濃度；

所述第一多晶硅的溫度系數的符號在所述第一濃度處改變；以及

所述第二多晶硅的溫度系數的符號在所述第二濃度處改變。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中：

包含所述第一濃度的第一雜質的所述第一多晶硅具有負溫度系數；以及

包含所述第二濃度的第一雜質的所述第二多晶硅具有正溫度系數。