[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710060646.2
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN107026190B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發(fā)明（設計）人: 樸惠香;全珠姬;鄭丞淏;崔千基;金炫植;梁熙元;李恩榮
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/121
• 分類號: H10K59/121;H10K59/122;H10K59/123;H10K59/131
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：

基底，包括子像素區(qū)和透明區(qū)；

緩沖層，在所述基底上位于所述子像素區(qū)和所述透明區(qū)中，所述緩沖層具有第一折射率；

第一柵極絕緣層，在所述緩沖層上位于所述子像素區(qū)和所述透明區(qū)中，所述第一柵極絕緣層包括與所述緩沖層的材料相同的材料；

有源層，位于所述緩沖層與所述第一柵極絕緣層之間；

第一柵電極，位于所述第一柵極絕緣層上，在所述第一柵極絕緣層下方設置有所述有源層；

第一絕緣中間層，在所述子像素區(qū)和所述透明區(qū)中位于所述第一柵極絕緣層上，所述第一絕緣中間層具有比所述第一折射率大的第二折射率；

第二柵極絕緣層，在所述子像素區(qū)和所述透明區(qū)中位于所述第一柵極絕緣層和所述第一絕緣中間層之間，所述第二柵極絕緣層與所述第一絕緣中間層包括相同的材料；

源電極和漏電極，位于所述第一絕緣中間層上，所述源電極和所述漏電極連同所述有源層和所述第一柵電極一起限定半導體元件；以及

像素結構，位于所述半導體元件上，所述像素結構電連接到所述半導體元件。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一折射率在1.4與1.5之間的范圍內，所述第二折射率在1.7與1.8之間的范圍內，

其中，所述有源層的上表面與所述第一柵極絕緣層接觸，所述有源層的下表面與所述緩沖層接觸。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述基底包括透明絕緣材料。

4.根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述基底由具有在1.7與1.8之間的范圍內的折射率的透明的聚酰亞胺基底構成。

5.根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述基底包括透明的聚酰亞胺層和阻擋層，所述阻擋層置于所述透明的聚酰亞胺層與所述緩沖層之間，

其中，所述阻擋層和所述第一絕緣中間層包括相同的材料。

6.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述阻擋層由具有在1.7與1.8之間的范圍內的折射率的氮氧化硅構成，

其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比構成。

7.根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述緩沖層和所述第一柵極絕緣層中的每個由具有在1.4與1.5之間的范圍內的折射率的氧化硅構成。

8.根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述有源層由非晶硅或多晶硅構成。

9.根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一絕緣中間層由具有在1.7與1.8之間的范圍內的折射率的氮氧化硅構成，

其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比構成。

10.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二柵極絕緣層由具有在1.7與1.8之間的范圍內的折射率的氮氧化硅構成，

其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比構成。

11.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括：

第二柵電極，置于所述第二柵極絕緣層與所述第一絕緣中間層之間，所述第二柵電極位于所述第二柵極絕緣層上，在所述第二柵極絕緣層下方設置有所述第一柵電極。