[發明專利]扇出型半導體封裝件

有效

• 申請號: 201710059796.1
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN107785333B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 金多禧;高永寬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金光軍;包國菊

1.一種扇出型半導體封裝件，包括：

第一連接構件，具有通孔；

半導體芯片，設置在第一連接構件的通孔中，并具有有效表面和無效表面，所述有效表面上設置有連接焊盤，所述無效表面與有效表面背對；

包封件，包封第一連接構件和半導體芯片的無效表面的至少一部分；

第二連接構件，設置在第一連接構件和半導體芯片的有效表面上；

背重新分布層，包括導電層和種子層，導電層嵌在包封件中，種子層設置在導電層上并且具有比導電層的厚度薄的厚度；

樹脂層，設置在包封件上，并且與背重新分布層的種子層和包封件接觸，以及

連接構件，穿過背重新分布層和包封件，

其中，第一連接構件和第二連接構件分別包括電連接到半導體芯片的連接焊盤的重新分布層，并且

背重新分布層通過連接構件電連接到第一連接構件的重新分布層，并通過第一連接構件的重新分布層和第二連接構件的重新分布層電連接到半導體芯片的連接焊盤。

2.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，連接構件接觸背重新分布層的暴露的側表面。

3.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述連接構件從所述包封件突出。

4.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，樹脂層包括使背重新分布層的種子層的表面的至少一部分暴露的開口。

5.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，連接構件包括焊料或金屬膏。

6.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一連接構件包括第一絕緣層、第一重新分布層以及第二重新分布層，所述第一重新分布層接觸第二連接構件并嵌在第一絕緣層中，所述第二重新分布層設置在第一絕緣層的與第一絕緣層的嵌入有第一重新分布層的一個表面背對的另一表面上，

第一重新分布層和第二重新分布層電連接到連接焊盤。

7.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一連接構件還包括第二絕緣層和第三重新分布層，所述第二絕緣層設置在第一絕緣層上并覆蓋第二重新分布層，所述第三重新分布層設置在第二絕緣層上，且

第三重新分布層電連接到連接焊盤。

8.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，第二連接構件的重新分布層和第一重新分布層之間的距離大于第二連接構件的重新分布層和連接焊盤之間的距離。

9.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一重新分布層的厚度大于第二連接構件的重新分布層的厚度。

10.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一重新分布層的下表面設置在連接焊盤的下表面的上方的水平面上。

11.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一連接構件包括第一絕緣層以及第一重新分布層和第二重新分布層、所述第一重新分布層和所述第二重新分布層分別設置在第一絕緣層的背對的表面上，

第一重新分布層和第二重新分布層電連接到連接焊盤。

12.根據權利要求11所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一連接構件還包括第二絕緣層以及第三重新分布層，所述第二絕緣層設置在第一絕緣層上并覆蓋第一重新分布層，所述第三重新分布層設置在第二絕緣層上，并且

第三重新分布層電連接到連接焊盤。

13.根據權利要求12所述的扇出型半導體封裝件，其中，第一連接構件還包括第三絕緣層和第四重新分布層，所述第三絕緣層設置在第一絕緣層上并覆蓋第二重新分布層，所述第四重新分布層設置在第三絕緣層上，

第四重新分布層電連接到連接焊盤。