[發明專利]用于芯片封裝的電極以及使用該電極的芯片封裝結構在審
| 申請號: | 201710059273.7 | 申請日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN106783787A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 付猛 | 申請(專利權)人: | 東莞市阿甘半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/492 | 分類號: | H01L23/492;H01L23/36;H01L23/31 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 523808 廣東省東莞市松山湖高新技術產業開發*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 芯片 封裝 電極 以及 使用 結構 | ||
1.一種用于芯片封裝的電極,該電極包括:
第一基體材料,該第一基體材料的熱膨脹系數范圍為0-12×10-6/℃;以及
第二基體材料,該第二基體材料為導電材料且該第二基體材料的熱導率范圍為60-600W/m﹒k;
其中該第一基體材料與該第二基體材料混合形成復合材料,或者該第一基體材料和該第二基體材料中的一者嵌設于另一者的一個或多個部位。
2.如權利要求1所述的電極,其特征在于該電極的第一表面露出該第一基體材料以及該第二基體材料。
3.如權利要求1所述的電極,其特征在于該第一基體材料的至少一部分具有多孔連孔結構,該第二基體材料填充于該多孔連孔結構的孔中。
4.如權利要求1所述的電極,其特征在于該第一基體材料設置有至少一個凹坑或通孔,該第二基體材料設置在該凹坑或通孔中。
5.如權利要求1所述的電極,其特征在于:該第二基體材料設置有至少一個凹坑或通孔,該第一基體材料設置在該凹坑或通孔中;或者第二基體材料的至少一部分具有多孔連孔結構,該第一基體材料填充于該多孔連孔結構的孔中。
6.如權利要求1所述的電極,其特征在于該第一基體材料為金屬材料或非金屬材料。
7.如權利要求6所述的電極,其特征在于該金屬材料為鉬、鎢、鐵鎳合金中的一種,或兩種或兩種以上形成的混合物。
8.如權利要求6所述的電極,其特征在于該非金屬材料為石墨、三氧化二鋁陶瓷、氮化鋁、氧化鈹、碳化硅的一種,或兩種或兩種以上形成的混合物。
9.如權利要求1所述的電極,其特征在于該第二基體材料為銅、鋁、銀、金中的一種,或兩種或兩種以上形成的混合物,或為包括銅、鋁、銀、金中的一種或兩種以上的復合材料。
10.如權利要求1所述的電極,其特征在于,該電極還包括金屬層,該金屬層覆蓋該第一基體材料的外表面的至少一部分。
11.如權利要求10所述的電極,其特征在于,該金屬層的材料為銅、銀、金、鋁或鎳。
12.一種芯片封裝結構,包括:
芯片;以及
一個或多個與該芯片連接的如權利要求1-11任一項所述的電極,其中該第一基體材料和該第二基體材料通過焊料層或導電連接物與芯片連接。
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