[發(fā)明專利]用于芯片封裝的電極以及使用該電極的芯片封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710059134.4 | 申請日： | 2017-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN106876357A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 付猛 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞市阿甘半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/492 | 分類號： | H01L23/492;H01L23/36;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523808 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 芯片 封裝 電極 以及 使用 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于芯片封裝的電極，該電極包括基體，該基體的膨脹系數(shù)的范圍為0-12×10-6/℃并且該基體的材料為：
石墨、鎢和金屬化非導(dǎo)電材料中的一種；或
石墨、鎢和非導(dǎo)電材料中的一種或一種以上與第一導(dǎo)電材料形成的復(fù)合材料。
2.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于該第一導(dǎo)電材料為熱導(dǎo)為60-600W/m﹒k的金屬或金屬復(fù)合材料。
3.如權(quán)利要求2所述的電極，其特征在于該第一導(dǎo)電材料為銅、鋁或銀，或者為含有銅、鋁或銀的合金。
4.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于該非導(dǎo)電材料為AlN、BeO、Al2O3或SiC。
5.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，該電極還包括覆蓋該基體的外表面的至少一部分的金屬層。
6.如權(quán)利要求5所述的電極，其特征在于該金屬層的材料為銅、銀、金、鉑、鈀、鋁、鉬、錳或鎳中的一種或多種，或其中的一種或多種與其他材料形成的復(fù)合材料。
7.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，該基體具有多孔連孔結(jié)構(gòu)，該電極還包括填充于該基體中的孔中的第二導(dǎo)電材料。
8.如權(quán)利要求7所述的電極，其特征在于，該第二導(dǎo)電材料為熱導(dǎo)為60-600W/m﹒k的金屬或金屬復(fù)合材料。
9.如權(quán)利要求8所述的電極，其特征在于，該第二導(dǎo)電材料為銅、鋁、銀、金中的一種，或兩種或兩種以上形成的混合物，或一種或兩種以上與其他材料的復(fù)合材料。
10.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，該基體設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)通孔，該電極還包括設(shè)置于該通孔中的導(dǎo)電柱。
11.如權(quán)利要求10所述的電極，其特征在于，該導(dǎo)電柱的材料為熱導(dǎo)為60-600W/m﹒k的金屬或金屬復(fù)合材料。
12.如權(quán)利要求11所述的電極，其特征在于，該通孔的側(cè)壁上設(shè)置有導(dǎo)電層。
13.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：
芯片；以及
一個(gè)或多個(gè)與該芯片連接的如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電極，或者一個(gè)或多個(gè)與該芯片連接的如權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的電極，其中該基體和該第二材料均通過焊料層或?qū)щ娺B接物與該芯片連接，或者一個(gè)或多個(gè)與該芯片連接的如權(quán)利要求9-12任一項(xiàng)所述的電極，其中該基體和該導(dǎo)電柱均通過焊料層或?qū)щ娺B接物與該芯片連接。
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