[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201710058288.1 | 申請日: | 2017-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN107026189B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 觀田康克 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸萬杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
基底層;
多個像素電極,其層疊于所述基底層上;
發光元件層,其層疊于所述多個像素電極上;以及
公共電極,其層疊于所述發光元件層上,
所述多個像素電極中的各像素電極包括:
第一氧化物導電層,其與所述基底層直接接觸;
金屬導電層,其與所述第一氧化物導電層直接接觸;和
第二氧化物導電層,其與所述金屬導電層直接接觸,
所述基底層相對于所述第一氧化物導電層的密合性比相對于所述金屬導電層的密合性高,
所述第一氧化物導電層具有在彼此相鄰的所述像素電極相對的方向上從所述金屬導電層和所述第二氧化物導電層伸出的突出部,
所述顯示裝置還包括無機絕緣層,其載置于所述第一氧化物導電層的所述突出部的至少前端和所述基底層上,
所述無機絕緣層與所述金屬導電層的前端和所述第二氧化物導電層的前端隔開間隔形成。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一氧化物導電層在所述多個像素電極各自的整個周緣部具有所述突出部。
3.根據權利要求1或2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一氧化物導電層和所述第二氧化物導電層各自含有選自氧化銦錫和氧化銦鋅的材料,
所述金屬導電層含有選自金、鋁、和銀的材料。
4.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括:
形成多個像素電極的工序;
在所述多個像素電極上層疊發光元件層的工序;以及
在所述發光元件層上層疊公共電極的工序,
所述形成多個像素電極的工序包括:
以與所述多個像素電極對應的形狀并且以與彼此相鄰的所述像素電極對應的部分被無機絕緣層隔離的方式形成第一氧化物導電層的圖案的工序;
以與所述無機絕緣層和所述第一氧化物導電層的所述圖案直接接觸的方式形成相對于所述無機絕緣層的密合性比所述第一氧化物導電層低的金屬導電層的工序;
在所述金屬導電層之上形成第二氧化物導電層的工序;和
通過濕法蝕刻將所述金屬導電層和所述第二氧化物導電層圖案化,使得所述金屬導電層和所述第二氧化物導電層的載置于所述第一氧化物導電層的所述圖案內側的部分留下的工序,
在形成所述第一氧化物導電層的工序中,在基底層之上將所述第一氧化物導電層圖案化之后,在所述基底層之上形成所述無機絕緣層。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,
在形成所述第一氧化物導電層的工序中,在從所述圖案露出的所述基底層之上以所述無機絕緣層載置于所述第一氧化物導電層的所述圖案前端的方式形成所述無機絕緣層。
6.根據權利要求4或5所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,
所述第一氧化物導電層和所述第二氧化物導電層各自含有選自氧化銦錫和氧化銦鋅的材料,
所述金屬導電層含有選自金、鋁、和銀的材料。
7.根據權利要求4或5所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,
所述濕法蝕刻使用混合酸和草酸的至少一者進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





