[發明專利]薄膜型發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201710057326.1
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN106876547B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 鐘志白;鄭錦堅;楊力勛;李佳恩;徐宸科;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.薄膜型發光二極管，包括發光外延疊層，所述發光外延疊層包含第一類型半導體層、發光層和第二類型半導體層，具有相對的上表面和下面，所述發光層在電激發下輻射光線并向所述上表面射出，其特征在于：所述發光外延疊層的上表面設有一系列由透明生長襯底構成的微透鏡，所述微透鏡具有兩個相對的端部，其中第一個端部嵌入所述發光外延疊層的第一類型半導體層內，第二個端部高出所述發光外延疊層的上表面。

2.根據權利要求1所述的薄膜型發光二極管，其特征在于：還包括一支撐結構，其位于所述發光外延疊層的下表面，用于支撐和保護所述發光外延疊層。

3.根據權利要求1所述的薄膜型發光二極管，其特征在于：所述微透鏡呈上寬下窄狀，其尺寸高度為0.5~3.0微米。

4.根據權利要求2所述的薄膜型發光二極管，其特征在于：所述微透鏡側面的錐度為30~85°。

5.根據權利要求1所述的薄膜型發光二極管，其特征在于：所述微透鏡離散分布，相鄰微透鏡之間的間距為1.0~6.0微米。

6.根據權利要求1所述的薄膜型發光二極管，其特征在于：所述微透鏡之遠離所述發光外延疊層的端面為球面狀。

7.薄膜型發光二極管的制作方法，包括以下步驟：

（1）提供圖形化的透明襯底，其上表面具有一系列凸起結構；

（2）在所述透明襯底的上表面上外延生長發光外延疊層，包括第一類型半導體層、發光層和第二類型半導體層；

（3）在所述發光外延疊層的表面上制作支撐結構；

（4）移除所述透明襯底，裸露出部分發光外延疊層的表面，并使透明襯底的凸起結構從透明襯底的主體上斷裂并保留在發光外延疊層上，從而在發光外延疊層表面上形成一系列由透明襯底的尖端組成的微透鏡。

8.根據權利要求7所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（1）中凸起結構的高度為1~3微米，中心間距為1.0~6.0微米。

9.根據權利要求7所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中采用激光剝離的方式剝離透明襯底，具體為將激光能量聚集到所述襯底凸起結構的某一厚度D，控制能量參數使所述透明襯底的凸起斷裂并保留在發光外延疊層上。

10.根據權利要求9所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中將激光能量聚集到距離所述襯底凸起的頂部0.5~3.0微米厚度的位置。

11.根據權利要求9所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中控制激光能量參數為100mJ~1000mJ。

12.根據權利要求7所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中采用研磨、蝕刻或者其組合移除所述透明襯底，截止位置到距離所述襯底凸起的頂部0.5~3.0微米厚度的位置，裸露出部分發光外延疊層的表面。

13.根據權利要求7所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中還包括采用干法蝕刻或/和濕法蝕刻對微透鏡進行修飾，使得所述微透鏡之遠離所述發光外延疊層的端面呈球面狀。

14.根據權利要求7所述的薄膜型發光二極管的制作方法，其特征在于：還包括步驟（5）：對裸露出的發光外延疊層表面進行粗化，并制作電極。