[發明專利]非易失性存儲器件和包括非易失性存儲器件的固態驅動器有效
| 申請號: | 201710056961.8 | 申請日: | 2017-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108345808B | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發明(設計)人: | 金廷秀;鄭鳳吉 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G06F21/79 | 分類號: | G06F21/79;G06F13/16 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 包括 固態 驅動器 | ||
1.一種非易失性存儲器件,包括:
存儲單元陣列;
電壓產生器,被配置為產生要施加到所述存儲單元陣列的字線電壓;以及
控制電路,被配置為響應于命令和地址而產生控制所述電壓產生器的控制信號,
其中,所述控制電路被配置為在所述控制電路的黑客攻擊檢測電路檢測到黑客攻擊時禁用所述非易失性存儲器件的操作,其中當所述命令和所述地址的訪問序列與所述非易失性存儲器件的標準序列不匹配一定的連續次數時,檢測到所述黑客攻擊,并且其中,響應于從所述電壓產生器提供的特定電壓信號而禁用所述非易失性存儲器件的操作,
其中,所述控制電路還包括:
命令解碼器,被配置為對所述命令進行解碼并輸出解碼的命令;
控制信號產生器,被配置為響應于所述解碼的命令而產生控制信號;
第一開關,連接在所述命令解碼器和與所述控制信號產生器連接的第一路徑之間;以及
第二開關,連接到所述命令解碼器、第二路徑和所述第一開關,
其中,所述第二路徑與所述第一路徑分開地連接到所述控制信號產生器。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,所述黑客攻擊檢測電路包括:
訪問序列分析器,被配置為分析所述訪問序列并當所述訪問序列與所述標準序列不匹配時輸出啟用的判定信號;
計數器,被配置為對被啟用的判定信號進行計數并輸出計數信號;以及
黑客攻擊檢測信號產生器,被配置為接收所述計數信號,并當所述計數信號超過參考值時輸出被啟用的黑客攻擊檢測信號。
3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中,所述訪問序列分析器被配置為輸出所述判定信號而不考慮所述訪問序列的輸入順序。
4.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中,所述訪問序列分析器被配置為根據所述訪問序列的輸入順序輸出所述判定信號。
5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,除了在檢測到所述黑客攻擊時,所述第一開關將所述第二開關的第一端子連接到所述控制信號產生器,以及
其中,除了在恢復代碼被施加到所述第二開關時,所述第二開關將所述命令解碼器連接到所述第一開關。
6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,當檢測到所述黑客攻擊時,
所述黑客攻擊檢測電路被配置為向所述控制信號產生器輸出黑客攻擊檢測信號,以及
所述控制信號產生器被配置為響應于所述黑客攻擊檢測信號而向所述電壓產生器提供黑客攻擊控制信號,并且響應于所述黑客攻擊控制信號,從所述電壓產生器向所述第一開關施加高電壓作為所述電壓信號,且阻斷所述第一路徑。
7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,當檢測到所述黑客攻擊時,
所述控制電路被配置為將與所述黑客攻擊相關聯的數據代碼編程到所述存儲單元陣列的設置數據區中,
所述控制電路還包括:數據檢測器,被配置為當向所述非易失性存儲器件施加電力時從所述設置數據區讀取所述數據代碼,
所述數據檢測器被配置為響應于所讀取的數據代碼向所述控制信號產生器提供代碼檢測信號,
所述控制信號產生器被配置為響應于所述代碼檢測信號向所述電壓產生器提供黑客攻擊控制信號,以及
所述電壓產生器被配置為響應于所述黑客攻擊控制信號向所述第一開關提供高電壓作為所述電壓信號以阻斷所述第一路徑。
8.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,所述第一開關包括p溝道金屬氧化物半導體PMOS晶體管,以及
所述PMOS晶體管具有耦接到所述第二開關的第一端子的第一電極、耦接到地電壓的柵極和耦接到所述第一路徑的第二電極。
9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,所述第一開關包括連接在所述第二開關的第一端子與所述第一路徑之間的熔絲。
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