[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710056947.8 | 申請日： | 2017-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN107026145B | 公開（公告）日： | 2023-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 木村吉孝 | 申請（專利權(quán)）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具備：
設(shè)在半導(dǎo)體襯底上的第1絕緣膜；
多個(gè)熔絲元件，其與所述第1絕緣膜接觸且在所述第1絕緣膜上彼此鄰接地設(shè)置；
覆蓋所述熔絲元件的至少側(cè)面的保護(hù)絕緣膜；以及
覆蓋所述熔絲元件及所述保護(hù)絕緣膜的由BPSG膜或PSG膜構(gòu)成的第2絕緣膜，
所述保護(hù)絕緣膜的機(jī)械強(qiáng)度高于所述第2絕緣膜，
所述保護(hù)絕緣膜具有在相鄰設(shè)置的所述熔絲元件彼此之間覆蓋所述熔絲元件的所述側(cè)面的第1部分、和覆蓋所述熔絲元件的上表面的第2部分，并且所述保護(hù)絕緣膜的所述第1部分的厚度比所述第2部分的厚度還厚。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保護(hù)絕緣膜的所述第1部分的厚度，設(shè)為相鄰的第1部分彼此相接的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保護(hù)絕緣膜的所述第2部分的厚度為100nm以下。
4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具備：
設(shè)在半導(dǎo)體襯底上的第1絕緣膜；
多個(gè)熔絲元件，其與所述第1絕緣膜接觸且在所述第1絕緣膜上彼此鄰接地設(shè)置；
覆蓋所述熔絲元件的側(cè)面的保護(hù)絕緣膜；以及
覆蓋所述熔絲元件及所述保護(hù)絕緣膜的由BPSG膜或PSG膜構(gòu)成的第2絕緣膜，
所述保護(hù)絕緣膜的機(jī)械強(qiáng)度高于所述第2絕緣膜，
在相鄰設(shè)置的所述熔絲元件彼此之間，所述保護(hù)絕緣膜的厚度設(shè)為相鄰的保護(hù)絕緣膜彼此相接的厚度。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具備：
設(shè)在半導(dǎo)體襯底上的第1絕緣膜；
多個(gè)熔絲元件，其與所述第1絕緣膜接觸且在所述第1絕緣膜上彼此鄰接地設(shè)置；
覆蓋所述熔絲元件的至少側(cè)面的保護(hù)絕緣膜；以及
覆蓋所述熔絲元件及所述保護(hù)絕緣膜的由BPSG膜或PSG膜構(gòu)成的第2絕緣膜，
所述保護(hù)絕緣膜的機(jī)械強(qiáng)度高于所述第2絕緣膜，
所述保護(hù)絕緣膜具有在相鄰設(shè)置的所述熔絲元件彼此之間覆蓋所述熔絲元件的所述側(cè)面的第1部分、和覆蓋所述熔絲元件的上表面的第2部分，并且所述保護(hù)絕緣膜的所述第1部分的膜厚與所述第2部分的膜厚相等。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保護(hù)絕緣膜為氮化硅膜或氮氧化硅膜。
7.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述熔絲元件由多晶硅膜、高熔點(diǎn)金屬膜、或在多晶硅膜上層疊鈦硅化物膜、鎢硅化物膜、及鈷硅化物膜的任一種的膜構(gòu)成。
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