[發明專利]一種應用于快充電源的驅動電路有效
| 申請號: | 201710056599.4 | 申請日: | 2017-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN106856345B | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 鐘裕捷;梁仁光;李仕熾;李仕勝 | 申請(專利權)人: | 北京鴻智電通科技有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 充電 驅動 電路 | ||
本發明提供一種應用于快充電源的驅動電路,其中:第一電平轉換模塊的輸入端與PWM信號發生器的輸出端連接,第一電平轉換模塊的輸出端與死區時間控制模塊的輸入端連接,死區時間控制模塊根據輸入的信號生成高側驅動信號和低側驅動信號,死區時間控制模塊的第一輸出端與第一驅動模塊的輸入端連接,用以將高側驅動信號傳輸到第一驅動模塊,第一驅動模塊的輸出端與第一待驅動功率管的柵極連接;死區時間控制模塊的第二輸出端與第二驅動模塊的輸入端連接,用以將低側驅動信號傳輸到第二驅動模塊,第二驅動模塊的輸出端與第二待驅動功率管的柵極連接。本發明提供的驅動電路,驅動電流能力適當、功耗小、頻率高,能夠滿足快充電源芯片對驅動電路的需求。
技術領域
本發明涉及快充電源技術領域,尤其涉及一種應用于快充電源的驅動電路。
背景技術
目前行業內基于MCU的快充電源芯片,由于本身芯片所采用的工藝所限,普遍需要外加一個高壓的、驅動能力強的驅動電路,來驅動MOSFET功率管,以實現整個系統的快充功能。
但是,現有的驅動電路,都是針對大功率,且高壓(高達200~300V)的MOSFET或IGBT的應用的,這些驅動電路,驅動電流的能力都比較大,功耗也都很大,頻率無需很高,一般在1MHZ以內。而且,隨著快充技術的快速發展,基于MCU的快充電源芯片給驅動電路提出了一些新的技術要求,例如:滿足比較寬的電壓范圍,但電壓無需很高,一般在3~20V這樣的一個電壓范圍,這也是快充QC3.0協議所要求的電壓范圍;驅動電流能力適當,功耗小,頻率比較高,一般要求滿足最大頻率3MHZ,芯片面積小。
可見,目前現有的功率管驅動電路的工作電壓范圍、驅動能力、功耗以及頻率等都不能滿足快充電源芯片對驅動電路的需求。
發明內容
鑒于上述問題,本發明實施例提出了一種應用于快充電源的驅動電路,以滿足快充電源芯片對驅動電流、功耗以及頻率的需求。
本發明實施例提供的應用于快充電源的驅動電路,包括第一電平轉換模塊、死區時間控制模塊、第一驅動模塊和第二驅動模塊;
所述第一電平轉換模塊的輸入端與PWM信號發生器的輸出端連接,所述第一電平轉換模塊的輸出端與所述死區時間控制模塊的輸入端連接,所述死區時間控制模塊根據所述第一電平轉換模塊輸入的信號生成高側驅動信號和低側驅動信號,所述死區時間控制模塊的第一輸出端與所述第一驅動模塊的輸入端連接,用以將所述高側驅動信號傳輸到所述第一驅動模塊,所述第一驅動模塊的輸出端與第一待驅動功率管的柵極連接;所述死區時間控制模塊的第二輸出端與所述第二驅動模塊的輸入端連接,用以將所述低側驅動信號傳輸到所述第二驅動模塊,所述第二驅動模塊的輸出端與第二待驅動功率管的柵極連接。
可選地,所述第一電平轉換模塊包括第一電阻和第一施密特觸發器;
所述第一施密特觸發器的輸入端與所述PWM信號發生器的輸出端連接,所述第一施密特觸發器的輸出端與所述死區時間控制模塊的輸入端連接,所述第一電阻的一端與所述PWM信號發生器的輸出端連接,另一端與電源地連接。
可選地,所述第一驅動模塊包括脈沖信號發生器、高壓電平轉換器、RS觸發器和第一驅動單元;
所述脈沖信號發生器的輸入端與所述死區時間控制模塊的第一輸出端連接,所述脈沖信號發生器的輸出端與所述高壓電平轉換器的輸入端連接,所述高壓電平轉換器的輸出端與所述RS觸發器的輸入端連接,所述RS觸發器的輸出端與所述第一驅動單元的輸入端連接,所述第一驅動單元的輸出端與第一待驅動功率管的柵極連接。
可選地,所述第二驅動模塊包括延時電路和第二驅動單元;
所述延時電路的輸入端與所述死區時間控制模塊的第二輸出端連接,所述延時電路的輸出端與所述第二驅動單元的輸入端連接,所述第二驅動單元的輸出端與第二待驅動功率管的柵極連接。
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