[發明專利]存儲器裝置和控制存儲器裝置中的ECC操作的方法有效
| 申請號: | 201710056587.1 | 申請日: | 2017-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108346452B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 任載禹;朱相炫 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C29/42 | 分類號: | G11C29/42;G11C29/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;韓明花 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 裝置 控制 中的 ecc 操作 方法 | ||
提供了非易失性存儲器裝置、存儲器裝置和對存儲器裝置進行錯誤檢查和糾正(ECC)操作的方法。存儲器單元陣列包括形成在相對于基底沿垂直方向延伸的垂直溝道中的存儲器單元。垂直溝道平行于第一方向以Z字形方式布置。讀寫電路經由位線連接到存儲器單元。地址解碼器對地址進行解碼以將解碼的地址信號提供到讀寫電路。存儲器單元包括外單元和內單元。外單元中的一個外單元與共源極節點之間的距離小于內單元中的一個內單元與共源極節點之間的距離。存儲器單元的數據分布在ECC扇區之中,存儲器單元的數據輸入輸出順序被布置為使得每個ECC扇區具有基本相同數目的外單元和內單元。每個ECC扇區對應于ECC操作單元。
技術領域
本發明構思涉及半導體集成電路和控制錯誤檢查和糾正(ECC)操作的方法以及執行該方法的存儲器裝置。
背景技術
用于存儲數據的半導體存儲器裝置可以被劃分成易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。諸如動態隨機存取存儲器(DRAM)裝置的易失性存儲器裝置通常被構造為通過對存儲器單元中的電容器進行充電或放電來存儲數據,并且在斷開電源時失去所存儲的數據。諸如閃存裝置的非易失性存儲器裝置即使在斷開電源的情況下也可保持存儲的數據。易失性存儲器裝置廣泛地用作各種設備的主要存儲器,而非易失性存儲器裝置在諸如計算機、移動裝置等的各種電子裝置中被廣泛地用來存儲編程代碼和/或數據。
半導體存儲器裝置的存儲器容量正在根據制造工藝的發展而增加。隨著半導體存儲器裝置的集成度的增加,有缺陷的存儲器單元的數量增加,并且半導體存儲器裝置的良率降低。可以使用冗余存儲器單元或者可以執行ECC操作以修復有缺陷的存儲器單元。半導體存儲器裝置的良率和性能可以取決于這種修復方案的效率。
發明內容
如下提供一種非易失性存儲器裝置。存儲器單元陣列包括形成在相對于基底沿垂直方向延伸的垂直溝道中的存儲器單元。垂直溝道平行于第一方向以Z字形方式布置。讀寫電路經由位線連接到存儲器單元。地址解碼器對地址進行解碼以將解碼的地址信號提供到讀寫電路。存儲器單元包括外單元和內單元。外單元中的一個外單元與共源極節點之間的距離小于內單元中的一個內單元與共源極節點之間的距離。存儲器單元的數據分布在ECC扇區之中,存儲器單元的數據輸入輸出順序被布置為使得每個ECC扇區具有基本相同數目的外單元和內單元。每個ECC扇區對應于ECC操作單元。
如下提供了一種存儲器裝置。存儲器單元陣列包括存儲器單元。讀寫電路經由位線連接到存儲器單元。地址解碼器對地址進行解碼以將解碼的地址信號提供到讀寫電路。存儲器單元基于單元特性包括多個單元組。每個單元組的存儲器單元具有相同的單元特性。存儲器單元的數據分布在ECC扇區之中。存儲器單元的數據輸入輸出順序被布置為使得每個ECC扇區具有每個單元組的基本相同數目的存儲器單元,每個ECC扇區(sector)對應于ECC操作單元。
如下提供了一種對存儲器裝置進行錯誤檢查和糾正(ECC)操作的方法。從存儲器裝置的N個存儲器單元接收N位作為ECC操作單元。N個存儲器單元中的每個存儲器單元具有N種單元特性中的一種單元特性,ECC操作單元對于每種單元特性具有基本相同數目的位。對N位執行ECC算法。
附圖說明
通過參照附圖詳細地描述本發明構思的示例性實施例,本發明構思的這些和其它特征將變得更加明顯,在附圖中:
圖1是示出根據示例性實施例的錯誤檢查和糾正(ECC)扇區(sector)的構造的圖;
圖2是示出根據示例性實施例的控制存儲器裝置中的ECC操作的方法的流程圖;
圖3是示出根據示例性實施例的存儲器系統的框圖;
圖4是示出根據示例性實施例的存儲器裝置的框圖;
圖5是包括在圖4的存儲器裝置中的存儲器單元陣列的示例的透視圖;
圖6是示出包括在圖4的存儲器裝置中的存儲器單元陣列的示例的電路圖;
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