[發(fā)明專利]一種復(fù)合圖形襯底及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710056035.0
• 申請(qǐng)日: 2017-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108346719A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘堯波;唐軍;劉亞柱;陶淳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/20;H01L33/12
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

S1：提供一藍(lán)寶石襯底，在所述藍(lán)寶石襯底表面沉積Al_xGa_1-xN緩沖層，0≤X≤1；

S2：在所述緩沖層表面沉積低折射率介質(zhì)層，所述低折射率介質(zhì)層的折射率小于1.8；

S3：刻蝕所述低折射率介質(zhì)層，得到凹陷結(jié)構(gòu)，所述凹陷結(jié)構(gòu)暴露出所述緩沖層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于：所述凹陷結(jié)構(gòu)將所述低折射率介質(zhì)層分割為若干介質(zhì)柱。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于：所述介質(zhì)柱的橫截面包括圓形、橢圓形或多邊形。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于：所述介質(zhì)柱的橫截面積自下而上一致，或者自下而上逐漸減小，且所述介質(zhì)柱的橫截面積范圍是1-1000μm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于，在步驟S1中，所述緩沖層的沉積速率為5-50nm/min，沉積溫度為300-1000℃；所述緩沖層厚度為20-200nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于，在步驟S1中，采用化學(xué)氣相沉積法制備所述緩沖層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于，還包括以下特征的任意一項(xiàng)或多項(xiàng)：

1)在步驟S2中，所述低折射率介質(zhì)層的材料為氧化硅或氮化硅；

2)在步驟S2中，沉積所述低折射率介質(zhì)層的速率溫度為300-1000℃；所述低折射率介質(zhì)層的厚度為1-4μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于，在步驟S3中，在刻蝕所述低折射率介質(zhì)層的過(guò)程中，包括以下步驟：

S3-1：在所述低折射率介質(zhì)層上制備掩模圖形；

S3-2：刻蝕所述低折射率介質(zhì)層，將所述掩模圖形轉(zhuǎn)移至所述低折射率介質(zhì)層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法，其特征在于，在步驟S3-2中，刻蝕的深度不小于所述低折射率介質(zhì)層的厚度，并且刻蝕后位于所述凹陷結(jié)構(gòu)底部的緩沖層厚度不小于10nm。

10.一種如權(quán)利要求1至9任一所述的復(fù)合圖形襯底的制作方法獲得的復(fù)合圖形襯底。