[發(fā)明專利]III族氮化物半導體及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710055495.1 | 申請日： | 2017-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN107403859B | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 上田章雄;石橋明彥 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | iii 氮化物 半導體 及其 制造 方法 | ||
1.一種III族氮化物半導體，其具有：
包含通式RAMO4所表示的單晶體的RAMO4基板、
在所述RAMO4基板上形成且包含In和In以外的III族元素的氮化物的緩沖層、和
在所述緩沖層上形成的III族氮化物結晶，
通式RAMO4中，R表示選自Sc、In、Y、和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga、和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一個或多個二價元素，
所述III族氮化物結晶的表面的所述通式中M表示的元素的濃度比所述III族氮化物結晶的所述緩沖層側的區(qū)域的所述M表示的元素的濃度低。
2.如權利要求1所述的III族氮化物半導體，其中，所述緩沖層包含0.5atm％以上且50atm％以下的In。
3.如權利要求1所述的III族氮化物半導體，其中，所述R為Sc，所述A為Al，所述M為Mg。
4.如權利要求1所述的III族氮化物半導體，其中，所述緩沖層還包含Al。
5.如權利要求1所述的III族氮化物半導體，其中，所述III族氮化物結晶為GaN。
6.如權利要求1所述的III族氮化物半導體，其中，所述緩沖層的厚度為5nm以上且1000nm以下。
7.如權利要求1所述的III族氮化物半導體，其中，所述III族氮化物結晶的表面的所述M表示的元素的濃度比所述III族氮化物結晶與所述緩沖層的界面處的所述M表示的元素的濃度低1個數(shù)量級以上。
8.一種III族氮化物半導體的制造方法，其包括：
準備包含通式RAMO4所表示的單晶體的RAMO4基板的工序、
在所述RAMO4基板上形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的緩沖層的工序、
在所述緩沖層上形成III族氮化物結晶的工序，
通式RAMO4中，R表示選自Sc、In、Y、和鑭系元素中的一個或多個三價元素，A表示選自Fe(III)、Ga、和Al中的一個或多個三價元素，M表示選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一個或多個二價元素，
其中，所述III族氮化物結晶的表面的所述通式中M表示的元素的濃度比所述III族氮化物結晶的所述緩沖層側的區(qū)域的所述M表示的元素的濃度低。
9.如權利要求8所述的III族氮化物半導體的制造方法，其中，所述緩沖層包含0.5atm％以上且50atm％以下的In。
10.如權利要求8所述的III族氮化物半導體的制造方法，其中，所述緩沖層還包含Al。
11.如權利要求8所述的III族氮化物半導體的制造方法，其中，所述R為Sc，所述A為Al，所述M為Mg。
12.如權利要求8所述的III族氮化物半導體的制造方法，其中，所述III族氮化物結晶為GaN。
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