[發(fā)明專利]一種免焊線的LED燈絲的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710055015.1
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN108346724B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆寶華;劉琦;高瑜;徐現(xiàn)剛
• 申請（專利權(quán)）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/06;H01L33/42;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219
• 代理人: 陳桂玲

1.一種免焊線的LED燈絲的制備方法，包括采用MOCVD工藝制備LED外延片，所述LED外延片依次包括襯底、GaN層、N型GaN層、量子阱有源區(qū)、P型GaN層，在P型GaN層上蒸鍍透明導(dǎo)電層，包括步驟：

(1)在所述LED外延片GaN層上制作P電極，由透明導(dǎo)電層向下刻蝕到N型GaN層形成臺(tái)面并在該臺(tái)面上制作N電極；按固定周期在每個(gè)周期單元兩端均刻蝕出端臺(tái)面，刻蝕深度到達(dá)襯底上表面；制成發(fā)光二極管芯片；

（2）將步驟（1）制備的發(fā)光二極管芯片沿N型GaN層的上表層進(jìn)行半切，到達(dá)GaN襯底上，實(shí)現(xiàn)對發(fā)光二極管的水平環(huán)切，在襯底上芯片單元之間形成隔斷縫隙；

（3）按照固定周期沿每個(gè)周期單元刻蝕出的端臺(tái)面進(jìn)行裂片，使發(fā)光二極管芯片成為獨(dú)立的周期單元，周期單元內(nèi)未切開的襯底成為承載各個(gè)芯片單元的基板；

（4）另取透明基板，按照步驟（3）所述的周期單元對應(yīng)的芯片單元的電極周期，在透明基板上采用光刻的方式涂覆光刻膠、曝光、顯影，然后在光刻圖形上噴涂縱向?qū)щ姷漠愊驅(qū)щ娔z，制得外接引線導(dǎo)電膠臺(tái)面、接負(fù)極導(dǎo)電膠臺(tái)面、接正極導(dǎo)電膠臺(tái)面，然后，在外接引線導(dǎo)電膠臺(tái)面、接負(fù)極導(dǎo)電膠臺(tái)面、接正極導(dǎo)電膠臺(tái)面之間噴涂橫向?qū)щ姷漠愊驅(qū)щ娔z成接線膠體連接膜，實(shí)現(xiàn)各個(gè)異向?qū)щ娔z臺(tái)面之間的電連通；

（5）采用剝離的方式完成周期引線導(dǎo)電膠體透明基板的制作，包括對應(yīng)電極周期外接引線導(dǎo)電膠臺(tái)面、接負(fù)極導(dǎo)電膠臺(tái)面、接正極導(dǎo)電膠臺(tái)面、接線膠體連接膜的制作；所述接線膠體連接膜將外接引線導(dǎo)電膠臺(tái)面、接負(fù)極導(dǎo)電膠臺(tái)面、接正極導(dǎo)電膠臺(tái)面連通；

（6）在所述外接引線導(dǎo)電膠體臺(tái)面上制作燈絲引腳線，以接通電源；

（7）用壓合機(jī)將步驟（3）的芯片單元與步驟（6）制成的周期引線導(dǎo)電膠體透明基板壓合，接負(fù)極導(dǎo)電膠體對接P電極，接正極導(dǎo)電膠體對接N電極, 使之互聯(lián)粘合；

（8）在步驟（7）粘合后的各個(gè)單元上制作熒光膠包覆層，將各個(gè)芯片單元及基板完全包覆；兩端的燈絲引腳線部分露出熒光膠包覆層外。

2.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于所述襯底是藍(lán)寶石襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于所述襯底厚度為35μm-45μm。

4.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于所述量子阱有源區(qū)是InGaN/GaN多量子有源區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，每層InGaN厚度2-3nm，每層GaN厚度3-6nm，周期為5-10個(gè)。

6.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（2）沿N型GaN的上表層進(jìn)行半切的深度為55μm -75μm。

7.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（2）沿N型GaN的上表層進(jìn)行半切的深度為60μm -70μm。

8.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（4）所述透明基板對可見光透過率不低于91%。

9.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（4）所述透明基板的厚度為50μm -70μm。

10.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（5）中，所述外接引線導(dǎo)電膠臺(tái)面、接負(fù)極導(dǎo)電膠臺(tái)面、接正極導(dǎo)電膠臺(tái)面，各個(gè)導(dǎo)電膠臺(tái)面高度為3-5μm。

11.如權(quán)利要求10所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，各個(gè)導(dǎo)電膠臺(tái)面高度相等。

12.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（5）中，接線膠體連接膜厚度0.5-1μm。

13.如權(quán)利要求1所述的免焊線的LED燈絲的制備方法，其特征在于，步驟（7）壓合條件為：溫度70～130℃，壓力為6～15kg/cm²，壓合時(shí)間為10 ～ 15 分鐘。