[發明專利]N型雙面電池結構

在審

• 申請號: 201710054760.4
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN106784074A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 李華;魯偉明
• 申請（專利權）人: 泰州樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司32243
• 代理人: 王素琴

1.一種N型雙面電池結構，其特征在于：包括基體，基體為N型，基體的正面為摻硼的發射極，發射極上沉積有第一減反鈍化膜，第一減反鈍化膜上有正面電極，正面電極穿透第一減反鈍化膜與發射極形成歐姆接觸；基體的背面生長一層薄膜，即隧穿氧化層，隧穿氧化層上設有摻雜多晶硅層，摻雜多晶硅層上沉積有第二減反鈍化膜，第二減反鈍化膜上設置有背面電極，背面電極穿透第二減反鈍化膜與摻雜多晶硅層形成歐姆接觸。

2.如權利要求1所述的N型雙面電池結構，其特征在于：基體正面的發射極采用BBr₃高溫擴散，常壓氣相沉積APCVD法沉積硼硅玻璃BSG退火或離子注入硼源退火形成；第一減反射鈍化膜采用SiNx、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，厚度為50-90nm。

3.如權利要求1所述的N型雙面電池結構，其特征在于：基體背面生長的隧穿氧化層為SiO₂、Al₂O₃、TiO₂或MoOx，厚度為1-4nm。

4.如權利要求3所述的N型雙面電池結構，其特征在于：背面生長的隧穿氧化層為SiO₂時，隧穿氧化層生長采用熱HNO₃氧化、熱氧化或臭氧水氧化的生長方式，當隧穿氧化層為Al₂O₃、TiO₂或MoOx時，隧穿氧化層生長采用原子層氣相沉積或者物理氣相沉積PVD。

5.如權利要求1-4任一項所述的N型雙面電池結構，其特征在于：基體背面的摻雜多晶硅層為磷摻雜多晶硅層，基體背面的摻雜多晶硅層生長方式為等離子體輔助氣相沉積PECVD沉積非晶硅退火或者低壓化學氣相沉積LPCVD沉積多晶硅退火。

6.如權利要求5所述的N型雙面電池結構，其特征在于：基體背面的摻雜層多晶硅層采用原位摻雜、擴散摻雜或者離子注入摻雜方式，退火溫度為750-1050^oC。

7.如權利要求6所述的N型雙面電池結構，其特征在于：基體背面的摻雜層多晶硅層厚度為40nm-300nm，方阻為20-200Ω/□。

8.如權利要求1-4任一項所述的N型雙面電池結構，其特征在于：基體背面的第二減反射鈍化膜是SiNx、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或SiOxNy薄膜中的一種或者多種，厚度為50-90nm。

9.如權利要求1-4任一項所述的N型雙面電池結構，其特征在于：正面電極與背面電極分別采用絲網印刷、電鍍、化學鍍或物理氣相沉積PVD方式形成，正面電極與背面電極分別為Ni、Cu、Ag、Cr、Ti、Pd中的一種或兩種以上的組合。