[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710054525.7
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN107808880B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 唐金祐次;福田昌利;本間莊一;小牟田直幸;尾山幸史
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置的制造方法，在具有第1凸塊電極的第1半導體芯片的第1面上，使具有第2凸塊電極及第1貫通電極的第2半導體芯片以所述第1凸塊電極與所述第1貫通電極重疊的方式積層；

在所述第2半導體芯片上使具有第2貫通電極的第3半導體芯片以所述第2凸塊電極與所述第2貫通電極重疊的方式積層，在所述第3半導體芯片上使第4半導體芯片積層，而形成芯片積層體；

將所述芯片積層體的所述第1及第2凸塊電極利用回流焊機械連接于所述第1及第2貫通電極；

在具有第2面的第1襯底上以所述第1面朝向所述第2面側的方式，經由第1樹脂與第3凸塊電極將所述第1襯底與所述回流焊后的芯片積層體通過以使所述第3半導體芯片與所述第1樹脂接合的方式倒裝安裝連接，在與所述芯片積層體的積層方向交叉的方向上，所述第1樹脂配置在所述第4半導體芯片與所述第3凸塊電極之間；

使用與所述第1樹脂不同的第2樹脂將所述第2面與所述第4半導體芯片之間、及所述第1、第2及第3半導體芯片間密封。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述第1半導體芯片的所述第1面的相反面介隔第3樹脂設置第2襯底。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

使所述第1半導體芯片的所述第1面的相反面粘接于膠帶材料。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述回流焊是在還原氣氛中進行。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

使用所述第2樹脂的密封是利用傳遞模塑進行的。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述第1及第2凸塊電極是包含Au、Ni、Cu、Sn、Bi、Zn、In及其合金的任一個的金屬凸塊，或包含Au、Ni、Cu、Al、Pd及其合金的任一個的電極墊。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在形成所述芯片積層體后，

使用拾取工具或吸附工具剝離所述膠帶材料。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述第1、第2及第3半導體芯片間、或所述芯片積層體及所述第1襯底之間還具有粘接樹脂。

9.一種半導體裝置的制造方法，在第1半導體芯片的第1面上，使具有第1凸塊電極及第1貫通電極的第2半導體芯片以所述第1凸塊電極與所述第1面相接的方式積層；

在所述第2半導體芯片上使具有第2凸塊電極及第2貫通電極的第3半導體芯片以所述第2凸塊電極與所述第1貫通電極重疊的方式積層，在所述第3半導體芯片上使第4半導體芯片積層，而形成芯片積層體；

將所述芯片積層體的所述第1及第2凸塊電極利用回流焊機械連接于所述第1及第2貫通電極；

在具有第2面的第1襯底上以所述第1面朝向所述第2面側的方式，經由第1樹脂與第3凸塊電極將所述第1襯底與所述回流焊后的芯片積層體通過以使所述第3半導體芯片與所述第1樹脂接合的方式倒裝安裝連接，在與所述芯片積層體的積層方向交叉的方向上，所述第1樹脂配置在所述第4半導體芯片與所述第3凸塊電極之間；

使用與所述第1樹脂不同的第2樹脂將所述第2面與所述第4半導體芯片之間、及所述第1、第2及第3半導體芯片間密封。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述第1半導體芯片的所述第1面的相反面介隔第3樹脂設置第2襯底。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

使所述第1半導體芯片的所述第1面的相反面粘接于膠帶材料。