[發明專利]窄脊半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201710054287.X
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN106785911B
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 楊冠卿;梁平;徐波;陳涌海;王占國
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01S5/223
• 分類號: H01S5/223
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種窄脊半導體器件的制備方法，包括以下步驟：

步驟1、外延生長形成半導體外延片，在所述半導體外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻膠掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；

步驟2、干法刻蝕去除第一窗口區的二氧化硅掩膜及部分外延層，形成窄脊結構；

步驟3、在形成的窄脊結構的上表面形成一第二光刻膠掩膜，并光刻形成脊型窗口；

步驟4、用選擇性腐蝕液去除第一窗口區外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制備。

2.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述步驟2和步驟3之間，還包括采用非選擇性腐蝕液對所述干法刻蝕后的器件結構進行腐蝕。

3.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述步驟4中去除第一窗口區外剩余的二氧化硅掩膜后，對器件進行清洗去除所述第二光刻膠掩膜，完成器件的制備。

4.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述選擇性腐蝕液為含氫氟酸的溶液。

5.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件為半導體激光器。

6.如權利要求5所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體外延片包括依次疊置的一上波導層.一上接觸層和一上包覆層，所述步驟2中干法刻蝕去除的部分外延層為上接觸層和上包覆層。

7.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述二氧化硅掩膜的厚度為300～500nm，采用等離子體增強化學氣相沉積或磁控濺射的方法形成所述二氧化硅掩膜。

8.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述步驟1中第一光刻膠掩膜的厚度為1.0～2.0μm，相鄰兩個所述第一窗口區間的距離為2～4μm。

9.如權利要求8所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述步驟3中第二光刻膠掩膜的厚度為1.0～2.0μm，所述脊型窗口的寬度為1～2μm。

10.如權利要求1所述的窄脊半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一光刻膠掩膜為正光刻膠，所述第二光刻膠掩膜為負光刻膠。