[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201710054102.5
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN108231724A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;鄭特強

1.一種半導體結構，包括：

一第一封裝件，包含一基板與位于該基板上的一晶粒，該晶粒通過一第一傳導凸塊而電連接至該基板；

一第二封裝件，位于該第一封裝件上，并且通過一第二傳導凸塊而電連接至該基板；以及

一粘著劑，位于該晶粒與該第二封裝件之間。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該晶粒通過該粘著劑附接至該第二封裝件。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該粘著劑具熱傳導性或是具有0.01至100W/(m·K)的等效熱傳導性。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該粘著劑包含鋁、銀、碳、或具有熱傳導性實質大于或等于25W/(m·K)的粒子。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該晶粒、該第一傳導凸塊、以及該第二傳導凸塊位于該基板與該第二封裝件之間。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中該晶粒被該第二傳導凸塊環繞。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中該基板包含一第一表面以及與該第一表面對立的一第二表面，以及該第一傳導凸塊與該第二傳導凸塊位于該第一表面上。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其中該基板包含位于該第二表面上的一第三傳導凸塊。

9.如權利要求8所述的半導體結構，另包括一電路板，通過該第三傳導凸塊而與該基板接合。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一傳導凸塊被一底膠填充材料環繞。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其中該晶粒包含一第三表面以及與該第三表面對立的一第四表面，該粘著劑位于該第三表面上，以及該第一傳導凸塊位于該第四表面上。

12.如權利要求1所述的半導體結構，其中該晶粒被一模制件囊封，以及該粘著劑位于該模制件上。

13.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二傳導凸塊的高度實質大于該晶粒的厚度。

14.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供一第一封裝件，該第一封裝件包含一基板以及位于該基板上的一晶粒，該晶粒通過一第一傳導凸塊而電連接至該基板；

提供一第二封裝件，該第二封裝件包含一第二傳導凸塊；

配置一粘著劑于該晶粒或該第二封裝件上；以及

通過該第二傳導凸塊而接合該第二封裝件與該基板，

其中該粘著劑位于該晶粒與該第二封裝件之間。

15.如權利要求14所述的制造方法，其中通過涂覆或點膠而配置該粘著劑。

16.如權利要求14所述的制造方法，其中當該第二傳導凸塊與該基板接合時，該粘著劑接觸該晶粒與該第二封裝件。

17.如權利要求14所述的制造方法，其中該粘著劑經配置以自該晶粒將熱傳向該第二封裝件。

18.如權利要求14所述的制造方法，其中在該第二封裝件與該基板接合之后，加熱該半導體結構。

19.如權利要求18所述的制造方法，其中該第二封裝件的曲度與該基板的曲度實質相同。

20.如權利要求14所述的制造方法，還包括將該第二封裝件對準該基板。