[發明專利]一種薄膜電感和電源轉換電路

有效

• 申請號: 201710053491.X
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN106910602B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 楊仕軍;楊和錢;朱勇發;陳為
• 申請（專利權）人: 華為機器有限公司
• 主分類號: H01F27/245
• 分類號: H01F27/245;H01F27/30;H01F27/34;H01F41/00;H02M3/158
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 時林;毛威

1.一種薄膜電感，其特征在于，所述薄膜電感包括：

第一薄膜磁芯(210)；

至少一個繞組(220)，所述至少一個繞組(220)沿所述第一薄膜磁芯(210)的難磁化方向繞制在所述第一薄膜磁芯(210)上，其中，所述至少一個繞組(220)在第一平面上的投影包圍所述第一薄膜磁芯(210)在所述第一平面上的投影，所述第一平面垂直于所述第一薄膜磁芯(210)的難磁化方向；

至少一個第二薄膜磁芯(230)，未繞制有繞組，所述至少一個第二薄膜磁芯(230)中的每個第二薄膜磁芯(230)與所述第一薄膜磁芯(210)不在同一平面上，所述每個第二薄膜磁芯(230)的難磁化方向與所述第一薄膜磁芯(210)的難磁化方向相同，所述每個第二薄膜磁芯(230)與所述第一薄膜磁芯(210)在第二平面上的投影至少部分重疊，所述第二平面為所述第一薄膜磁芯(210)的難磁化方向與易磁化方向構成的平面。

2.根據權利要求1所述的薄膜電感，其特征在于，所述每個第二薄膜磁芯(230)與所述第一薄膜磁芯(210)平行，且所述至少一個第二薄膜磁芯(230)中的任意兩個第二薄膜磁芯(230)是相隔離的。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜電感，其特征在于，所述每個第二薄膜磁芯(230)在所述第二平面上的投影覆蓋所述第一薄膜磁芯(210)在所述第二平面上的投影。

4.根據權利要求1或2所述的薄膜電感，其特征在于，所述至少一個繞組中的每個繞組包括多匝線圈，所述多匝線圈中的第一線圈的寬度大于所述多匝線圈中的第二線圈的寬度，所述第一線圈與所述第一薄膜磁芯(210)在難磁化方向上的中心位置之間的距離小于所述第二線圈與所述中心位置之間的距離，所述第一線圈和所述第二線圈為所述多匝線圈中的任意兩匝線圈。

5.根據權利要求1或2所述的薄膜電感，其特征在于，所述至少一個第二薄膜磁芯(230)包括一個第二薄膜磁芯(230)；

所述至少一個繞組(220)中的每個繞組(220)包括上層繞組、下層繞組以及用于連接所述上層繞組和所述下層繞組的連接單元，所述上層繞組和所述下層繞組分別位于所述第一薄膜磁芯(210)的兩側，其中，所述上層繞組的厚度小于所述下層繞組的厚度和/或所述連接單元的厚度，所述上層繞組靠近所述一個第二薄膜磁芯(230)。

6.根據權利要求5所述的薄膜電感，其特征在于，所述上層繞組的厚度為10-30um。

7.根據權利要求5所述的薄膜電感，其特征在于，所述連接單元的厚度為30-60um。

8.根據權利要求1或2所述的薄膜電感，其特征在于，所述至少一個第二薄膜磁芯(230)包括兩個第二薄膜磁芯(230)，所述兩個第二薄膜磁芯(230)分別對稱放置于所述第一薄膜磁芯(210)的兩側。

9.根據權利要求8所述的薄膜電感，其特征在于，所述至少一個繞組(220)中的每個繞組(220)包括上層繞組、下層繞組以及用于連接所述上層繞組和所述下層繞組的連接單元，所述上層繞組和所述下層繞組分別位于所述第一薄膜磁芯(210)的兩側，所述上層繞組的厚度為10-30um，所述下層繞組的厚度為10-30um。

10.根據權利要求1或2所述的薄膜電感，其特征在于，所述至少一個繞組(220)包括第一繞組(221)和第二繞組(222)，所述第一繞組(221)包括N匝線圈，所述第二繞組(222)包括M匝線圈，其中，所述第一繞組(221)中的P匝線圈與所述第二繞組(222)中的P匝線圈依次并行繞制在所述第一薄膜磁芯(210)上，0<N≤M，且P≤N。

11.根據權利要求10所述的薄膜電感，其特征在于，N＝M＝P。