[發(fā)明專利]一種LED及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710053445.X | 申請日： | 2017-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN106784219B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 童吉楚;汪洋;林志偉;卓祥景;姜偉;崔曉慧;陳凱軒;劉兆 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 361100 福建省廈門市廈門火*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 及其 制作方法 | ||
1.一種LED的制作方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底表面形成緩沖層；
在所述緩沖層背離所述襯底的一側(cè)形成N型半導體層；
在所述N型半導體層背離所述緩沖層的一側(cè)形成多量子阱層；
通過PVD工藝在所述多量子阱層背離所述N型半導體層的一側(cè)形成電子阻擋層，所述電子阻擋層為AlN層；
在所述電子阻擋層背離所述多量子阱層的一側(cè)形成P型半導體層；
其中，通過PVD工藝在多量子阱層表面形成電子阻擋層后，通過MOCVD工藝進行二次外延，在電子阻擋層表面形成P型半導體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述電子阻擋層的厚度范圍是5nm-30nm，包括端點值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述N型半導體層之前，還包括：
在所述緩沖層上形成U型GaN層；
其中，所述N型半導體層位于所述U型GaN層表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述U型GaN層的厚度范圍是0.5μm-2μm，包括端點值；
所述N型半導體層的厚度范圍是1μm-3μm，包括端點值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，通過MOCVD工藝生長所述緩沖層、所述U型GaN層、所述N型半導體層、所述多量子阱層以及所述P型GaN。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述多量子阱層包括：至少一層壘層以及至少一層阱層；
當具有多層所述壘層和/或具有多層所述阱層中時，在垂直于所述襯底的方向上，所述阱層與所述壘層交替分布。
7.一種采用如權(quán)利要求1-6任一項所述制作方法制備的LED，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底表面的緩沖層；
位于所述緩沖層背離所述襯底一側(cè)的N型半導體層；
位于所述N型半導體層背離所述緩沖層的一側(cè)的多量子阱層；
位于所述多量子阱層背離所述N型半導體層的一側(cè)的電子阻擋層，所述電子阻擋層為AlN層；
位于所述電子阻擋層背離所述多量子阱層的一側(cè)的P型半導體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED，其特征在于，所述電子阻擋層的厚度范圍是5nm-30nm，包括端點值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED，其特征在于，還包括：位于所述緩沖層與所述N型半導體層之間的U型GaN層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED，其特征在于，所述多量子阱層包括：至少一層壘層以及至少一層阱層；
當具有多層所述壘層和/或具有多層所述阱層中時，在垂直于所述襯底的方向上，所述阱層與所述壘層交替分布。
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