[發(fā)明專(zhuān)利]晶片檢查有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710053385.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107064168B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿納托利·羅曼諾夫斯基;伊萬(wàn)·馬列夫;丹尼爾·卡瓦爾德杰夫;尤里·尤迪特斯凱;迪爾克·沃爾;史蒂文·比耶拉卡 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N21/95 | 分類(lèi)號(hào): | G01N21/95 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 檢查 | ||
本發(fā)明涉及晶片檢查。本發(fā)明揭示一種經(jīng)配置以檢查晶片的系統(tǒng),該系統(tǒng)包括照明子系統(tǒng),其經(jīng)配置以使由所述照明子系統(tǒng)將多個(gè)脈沖光束中的第一者引導(dǎo)到晶片上的區(qū)域在時(shí)間上早于將所述多個(gè)脈沖光束中的第二者引導(dǎo)到所述區(qū)域;掃描子系統(tǒng),其經(jīng)配置以使所述多個(gè)脈沖光束跨所述晶片進(jìn)行掃描;集光子系統(tǒng),其經(jīng)配置以使從所述晶片上的所述區(qū)域散射的光成像到一個(gè)或多個(gè)傳感器;計(jì)算機(jī)子系統(tǒng),其經(jīng)配置以使用所述一個(gè)或多個(gè)傳感器的所述輸出來(lái)檢測(cè)所述晶片上的缺陷。本發(fā)明中的系統(tǒng)可優(yōu)化檢查速度及/或靈敏性。
本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2012年7月10日,申請(qǐng)?zhí)枮椤?01280040556.2”,而發(fā)明名稱(chēng)為“晶片檢查”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
本申請(qǐng)案主張2011年7月12日申請(qǐng)的標(biāo)題為“樣本檢查系統(tǒng)(Sample InspectionSystem)”的第61/506,892號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán),所述申請(qǐng)案以引用的方式并入本文中,如同在本文中完全陳述一般。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明大體上涉及經(jīng)配置以檢查晶片的系統(tǒng)。
背景技術(shù)
不應(yīng)由于下文的描述及實(shí)例包含在此章節(jié)內(nèi)而將其視為現(xiàn)有技術(shù)。
在半導(dǎo)體制造過(guò)程期間,在多個(gè)步驟使用檢查過(guò)程來(lái)檢測(cè)晶片上的缺陷,以提高制造過(guò)程中的更高良率且因此獲得更高的利潤(rùn)。檢查一直是制造半導(dǎo)體裝置的重要部分。然而,隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸減小,檢查對(duì)成功地制造可接受的半導(dǎo)體裝置愈加重要,因?yàn)檩^小的缺陷可能造成所述裝置出現(xiàn)故障。
在晶片檢查系統(tǒng)中,需要對(duì)顆粒、異常及其它類(lèi)型缺陷具有提高的靈敏性,同時(shí)維持總檢查速度(以每小時(shí)的晶片數(shù)計(jì)算)。暗場(chǎng)光學(xué)檢查系統(tǒng)一般使用激光光來(lái)以特定圖案(個(gè)別的點(diǎn)、線(xiàn)或區(qū)域)照射晶片且使用集光光學(xué)器件將散射光引導(dǎo)在一組對(duì)應(yīng)的傳感器上。
與照射所述晶片的一點(diǎn)(尺寸以微米計(jì))或一線(xiàn)(寬度(微米)乘以長(zhǎng)度(mm))相比,同時(shí)照射所述晶片的大區(qū)域(大約1mm乘以1mm)的檢查系統(tǒng)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于:存在可并行地從數(shù)千到數(shù)百萬(wàn)個(gè)個(gè)別檢測(cè)器獲取信息的許多種類(lèi)的二維傳感器。此外,因?yàn)檎彰鞴鈱W(xué)器件及積分個(gè)別傳感器的復(fù)雜性,點(diǎn)照射檢查系統(tǒng)實(shí)際上受限于數(shù)十個(gè)點(diǎn),因此限制可實(shí)現(xiàn)的處理量。點(diǎn)及線(xiàn)掃描系統(tǒng)的另一缺點(diǎn)在于,照明能量集中在相對(duì)小的區(qū)域中,從而增加經(jīng)檢查表面上的功率密度,這可不合意地改變樣本性質(zhì)。
眾所周知的是,與螺旋順序相比,XY(或蜿蜒)檢查順序提供較低的檢查處理量;因此,在一些情況下,螺旋軌跡(通常稱(chēng)為R-Theta)是合意的。螺旋檢查系統(tǒng)的實(shí)例包含SP1及SP2儀器,美國(guó)加州苗必達(dá)(Milpitas)市KLA-Tencor公司有售。
盡管區(qū)域檢查系統(tǒng)具有如在上文描述及在技術(shù)(例如,頒與格塔(Guetta)的第7,286,697號(hào)美國(guó)專(zhuān)利)中描述的優(yōu)點(diǎn),但是在R-Theta平臺(tái)上實(shí)施此配置被證明是具有挑戰(zhàn)性的,這是因?yàn)榇嬖谒a(chǎn)生的圖像的螺旋順序與大多數(shù)二維陣列傳感器的直線(xiàn)本質(zhì)的固有失配。通過(guò)實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)并對(duì)齊極性圖像來(lái)檢測(cè)缺陷是一項(xiàng)需要大量計(jì)算的活動(dòng)。此外,與離散型檢測(cè)器(例如,光電倍增管(PMT))相比,由大多數(shù)二維的基于硅的傳感器添加到測(cè)量的額外噪聲實(shí)際上降低了此類(lèi)系統(tǒng)的靈敏性性能。在基于XY的區(qū)域檢查系統(tǒng)上,不存在坐標(biāo)失配問(wèn)題,但此類(lèi)系統(tǒng)的先前實(shí)施例無(wú)法高速檢測(cè)所關(guān)注的所有缺陷,這是因?yàn)樗稣彰髯酉到y(tǒng)及集光子系統(tǒng)缺乏靈活性。
因此,有利的是開(kāi)發(fā)不具有上述缺點(diǎn)中的一者或一者以上的檢查系統(tǒng)及/或方法。
發(fā)明內(nèi)容
下文對(duì)各種實(shí)施例的描述決不應(yīng)被解讀為限制所附權(quán)利要求書(shū)的標(biāo)的物。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于科磊股份有限公司,未經(jīng)科磊股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專(zhuān)用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





