[發明專利]一種低溫硫化氫氣敏材料及制備方法有效
| 申請號： | 201710052874.5 | 申請日： | 2017-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN106885830B | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 崔光亮;張品華;張杰;王曉麗;陳麗 | 申請（專利權）人： | 臨沂大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B1/00;C25D5/54;C25D9/04 |
| 代理公司： | 青島發思特專利商標代理有限公司 37212 | 代理人： | 董寶錁 |
| 地址： | 276005 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 硫化 氫氣 材料 制備 方法 | ||
1.一種低溫硫化氫氣敏材料，其特征在于：所述低溫硫化氫氣敏材料是由連續分布的Cu2O和周期性間隔分布的Co3O4構成的納米線周期性陣列結構。
2.根據權利要求1所述的低溫硫化氫氣敏材料，其特征在于：所述低溫硫化氫氣敏材料是基于Cu2O與Cu2O-Co3O4復合物的橫向周期性異質結構有序陣列材料。
3.一種權利要求1所述的低溫硫化氫氣敏材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)采用去離子水、Cu(NO3)2和Co(NO3)2電解質原材料配置電解液；
(2)在控溫生長室內，以表面氧化處理的硅片或玻璃片作為基底，把兩片銅箔片電極平行的放在基底上面，在兩電極間滴加電解液，蓋上蓋玻片；
(3)用控溫生長室內的制冷元件將電解液制冷結冰，并保持恒溫狀態放置20-40分鐘；
(4)在電極上施加半正弦波形沉積電壓使電解質沉積；
(5)沉積結束后取出基底并用去離子水清洗，得到附著在基底上的Cu2O/Co3O4基低溫H2S氣敏材料。
4.根據權利要求3所述的低溫硫化氫氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟(1)中去離子水：Cu(NO3)2：Co(NO3)2＝5mL：6mM：3mM。
5.根據權利要求4所述的低溫硫化氫氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟(1)所述的電解液pH值為3.5-4.5。
6.根據權利要求5所述的低溫硫化氫氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述的控溫生長室內溫度為-4.5℃。
7.根據權利要求6所述的低溫硫化氫氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟(4)所述的電壓幅度為0.5V-1.5V，周期性電壓頻率為0.2-1.2Hz。
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