[發(fā)明專利]肖特基二極管、肖特基二極管陣列及肖特基二極管的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710051536.X
• 申請(qǐng)日: 2017-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN108336151B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙宇丹;肖小陽;王營城;金元浩;張?zhí)旆?/a>;李群慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L21/822;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種肖特基二極管，其包括：一絕緣基底及至少一肖特基二極管單元，所述至少一肖特基二極管單元設(shè)置在絕緣基底的表面；所述肖特基二極管單元包括一第一電極，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一第二電極；所述第一電極設(shè)置在絕緣基底的表面，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一第一端及與第一端相對(duì)的第二端，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端鋪設(shè)在第一電極上使第一電極位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端和絕緣基底之間，第二端設(shè)置在絕緣基底的表面，所述第二電極設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端并使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端位于第二電極和絕緣基底之間，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為一納米級(jí)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種肖特基二極管、一肖特基二極管陣列及肖特基二極管的制備方法。

背景技術(shù)

肖特基二極管是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的一種二極管。肖特基二極管比PN結(jié)二極管具有更低的功耗、更大的電流以及超高速的優(yōu)點(diǎn)，因此，在電子學(xué)器件中受到青睞。

對(duì)于低維納米電子材料，和傳統(tǒng)的硅材料不同，難以通過摻雜的辦法制備二極管。目前的納米半導(dǎo)體材料二極管主要通過化學(xué)摻雜或異質(zhì)結(jié)的方法制備，其制備工藝復(fù)雜，一定程度上限定了二極管的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，確有必要提供一種肖特基二極管，該肖特基二極管可以克服以上缺點(diǎn)。

一種肖特基二極管，其包括：一絕緣基底及至少一肖特基二極管單元，所述至少一肖特基二極管單元設(shè)置在絕緣基底的表面；所述肖特基二極管單元包括一第一電極，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一第二電極；所述第一電極設(shè)置在絕緣基底的表面，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一第一端及與第一端相對(duì)的第二端，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端鋪設(shè)在第一電極上使第一電極位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端和絕緣基底之間，第二端設(shè)置在絕緣基底的表面，所述第二電極設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端并使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端位于第二電極和絕緣基底之間，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為一納米級(jí)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

一種肖特基二極管陣列，其包括：一絕緣基底及多個(gè)肖特基二極管單元，該多個(gè)肖特基二極管單元以陣列的形式排列設(shè)置在絕緣基底的表面。每個(gè)肖特基二極管單元之間相互間隔設(shè)置，所述肖特基二極管單元包括一第一電極，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一第二電極；所述第一電極設(shè)置在絕緣基底的表面，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一第一端及與第一端相對(duì)的第二端，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端鋪設(shè)在第一電極上使第一電極位于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端和絕緣基底之間，第二端設(shè)置在絕緣基底的表面，所述第二電極設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端并使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端位于第二電極和絕緣基底之間，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為一納米級(jí)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

一種肖特基二極管的制備方法，其包括以下步驟：提供一絕緣基底，在絕緣基底上形成第一電極；在第一電極和絕緣基底上形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一第一端及與第一端相對(duì)的第二段，將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一端設(shè)置在第一電極的上表面，第二端設(shè)置在絕緣基底的表面；在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二端的上表面形成第二電極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明提供了一種采用一維或者維的納米材料作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的肖特基二極管，無需通過摻雜等復(fù)雜工藝獲得半導(dǎo)體材料，該肖特基二極管的結(jié)構(gòu)簡單，半導(dǎo)體材料易于制備且成本較低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的肖特基二極管的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的肖特基二極管的側(cè)視結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種情況下的肖特基二極管的側(cè)視結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的肖特基二極管陣列的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的肖特基二極管采用一維納米結(jié)構(gòu)作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的肖特基二極管的俯視示意圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的肖特基二極管采用二維納米結(jié)構(gòu)作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的肖特基二極管的俯視示意圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的碳納米管水平陣列膜的掃面電鏡照片。