[發明專利]一種藍綠光發光二極管的外延片及制備方法在審
| 申請號： | 201710051020.5 | 申請日： | 2017-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN106816503A | 公開（公告）日： | 2017-06-09 |
| 發明（設計）人： | 孫玉芹;董彬忠;王江波 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 藍綠 發光二極管 外延 制備 方法 | ||
1.一種藍綠光發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括平片襯底和依次層疊在所述平片襯底上的AlN緩沖層、u型GaN層、N型GaN層、有源層和P型GaN層，其中，所述AlN緩沖層的厚度為dnm，5≤d＜25。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度為10nm～25nm。
3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述有源層包括交替層疊的多個InGaN阱層和多個GaN壘層，所述InGaN阱層的厚度為2.8nm～3.8nm，所述GaN壘層的厚度為5nm～30nm。
4.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型GaN層的厚度為1μm～4μm。
5.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型GaN層的厚度為100nm～500nm。
6.一種藍綠光發光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一平片襯底；
在所述平片襯底上外延生長AlN緩沖層；
在所述AlN緩沖層上生長u型GaN層；
在所述u型GaN層上生長N型GaN層；
在所述N型GaN層上生長有源層；
在所述有源層上生長P型GaN層，
其中，所述AlN緩沖層的厚度為dnm，5≤d＜25。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述AlN緩沖層的生長溫度為1000～1100℃。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述有源層包括交替層疊的多個InGaN阱層和多個GaN壘層，所述多個InGaN阱層的生長溫度為790～820℃，所述多個GaN壘層的生長溫度為910～940℃。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述N型GaN層的生長溫度為1210～1240℃。
10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述P型GaN層的生長溫度為980～1010℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華燦光電（浙江）有限公司，未經華燦光電（浙江）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710051020.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
