[發(fā)明專(zhuān)利]一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710051020.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106816503A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫玉芹;董彬忠;王江波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 322000 浙江省金華市義*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 藍(lán)綠 發(fā)光二極管 外延 制備 方法 | ||
1.一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片,其特征在于,所述外延片包括平片襯底和依次層疊在所述平片襯底上的AlN緩沖層、u型GaN層、N型GaN層、有源層和P型GaN層,其中,所述AlN緩沖層的厚度為dnm,5≤d<25。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片,其特征在于,所述AlN緩沖層的厚度為10nm~25nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片,其特征在于,所述有源層包括交替層疊的多個(gè)InGaN阱層和多個(gè)GaN壘層,所述InGaN阱層的厚度為2.8nm~3.8nm,所述GaN壘層的厚度為5nm~30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片,其特征在于,所述N型GaN層的厚度為1μm~4μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片,其特征在于,所述P型GaN層的厚度為100nm~500nm。
6.一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
提供一平片襯底;
在所述平片襯底上外延生長(zhǎng)AlN緩沖層;
在所述AlN緩沖層上生長(zhǎng)u型GaN層;
在所述u型GaN層上生長(zhǎng)N型GaN層;
在所述N型GaN層上生長(zhǎng)有源層;
在所述有源層上生長(zhǎng)P型GaN層,
其中,所述AlN緩沖層的厚度為dnm,5≤d<25。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述AlN緩沖層的生長(zhǎng)溫度為1000~1100℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述有源層包括交替層疊的多個(gè)InGaN阱層和多個(gè)GaN壘層,所述多個(gè)InGaN阱層的生長(zhǎng)溫度為790~820℃,所述多個(gè)GaN壘層的生長(zhǎng)溫度為910~940℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述N型GaN層的生長(zhǎng)溫度為1210~1240℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述P型GaN層的生長(zhǎng)溫度為980~1010℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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