[發(fā)明專(zhuān)利]一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710051020.5
• 申請(qǐng)日: 2017-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106816503A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫玉芹;董彬忠;王江波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括平片襯底和依次層疊在所述平片襯底上的AlN緩沖層、u型GaN層、N型GaN層、有源層和P型GaN層，其中，所述AlN緩沖層的厚度為dnm，5≤d＜25。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度為10nm～25nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述有源層包括交替層疊的多個(gè)InGaN阱層和多個(gè)GaN壘層，所述InGaN阱層的厚度為2.8nm～3.8nm，所述GaN壘層的厚度為5nm～30nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型GaN層的厚度為1μm～4μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型GaN層的厚度為100nm～500nm。

6.一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一平片襯底；

在所述平片襯底上外延生長(zhǎng)AlN緩沖層；

在所述AlN緩沖層上生長(zhǎng)u型GaN層；

在所述u型GaN層上生長(zhǎng)N型GaN層；

在所述N型GaN層上生長(zhǎng)有源層；

在所述有源層上生長(zhǎng)P型GaN層，

其中，所述AlN緩沖層的厚度為dnm，5≤d＜25。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述AlN緩沖層的生長(zhǎng)溫度為1000～1100℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述有源層包括交替層疊的多個(gè)InGaN阱層和多個(gè)GaN壘層，所述多個(gè)InGaN阱層的生長(zhǎng)溫度為790～820℃，所述多個(gè)GaN壘層的生長(zhǎng)溫度為910～940℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述N型GaN層的生長(zhǎng)溫度為1210～1240℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述P型GaN層的生長(zhǎng)溫度為980～1010℃。