[發(fā)明專利]一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710050996.0 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN107059108B | 公開(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張超;王飛;范立坤;劉凱 | 申請(專利權(quán))人: | 上海材料研究所 |
| 主分類號: | C25F3/16 | 分類號: | C25F3/16;B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 褚明偉 |
| 地址: | 200437*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高溫 超導(dǎo) 帶材用哈氏 合金 基帶 復(fù)合 表面 處理 方法 | ||
1.一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,該復(fù)合表面處理方法用以降低哈氏合金基帶的表面粗糙度,使哈氏合金基帶均方根表面粗糙度小于1納米,其特征在于,
該復(fù)合表面處理方法包括兩個處理階段,第一階段采用機(jī)械拋光方法,使哈氏合金基帶的表面粗糙度降低至50納米以下;第二階段對機(jī)械拋光后的合金基帶進(jìn)行電化學(xué)拋光處理,使哈氏合金基帶的均方根表面粗糙度進(jìn)一步降至低于1納米,滿足第二代高溫超導(dǎo)體對基帶表面粗糙度的要求;
第一階段的機(jī)械拋光方法采用粗拋和精拋兩個拋光單元,粗拋單元的拋光輪的旋轉(zhuǎn)方向與哈氏合金基帶前進(jìn)的方向相反,精拋單元的拋光輪的旋轉(zhuǎn)方向與哈氏合金基帶前進(jìn)的方向相同;
第二階段的電化學(xué)拋光處理使用的電化學(xué)拋光液的成分與重量份為:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,其特征在于,
粗拋單元拋光液的各組分質(zhì)量份配比范圍為:研磨顆粒11~500g、次亞磷酸或次亞磷酸鹽1~50g、表面活性劑50~500mg、加水至1L;
精拋單元拋光液各組分質(zhì)量份配比范圍為:研磨顆粒1~300g、水溶性含氮聚合物0.1~30g、加水至1L。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,其特征在于,粗拋單元拋光液中研磨顆粒粒徑為200nm,精拋單元拋光液中研磨顆粒粒徑為30nm;
粗拋單元拋光液中表面活性劑為PEG400。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,其特征在于,調(diào)節(jié)粗拋單元拋光液的pH值為9~14,調(diào)節(jié)精拋單元拋光液pH值范圍為8~12。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,其特征在于,第二階段的電化學(xué)拋光處理的工藝條件為:
控制拋光電流密度為15-40A·cm-2,拋光時間為30-90s,電化學(xué)拋光液用真空泵打入拋光池,控制拋光液溫度為50-60℃,陽極與陰極之間的間距為10-30mm,拋光完畢,使用碳酸鈉溶液中和并在無水乙醇和去離子水中進(jìn)行超聲清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,其特征在于,第二階段的電化學(xué)拋光處理工藝采用卷對卷工藝模式,包括步驟:放卷、粗洗、漂洗、電拋、漂洗、中和、漂洗、精洗、烘干、收卷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫超導(dǎo)帶材用哈氏合金基帶的復(fù)合表面處理方法,其特征在于,所述的哈氏合金基帶為C-276哈氏合金。
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