[發(fā)明專利]氮化鎵基發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710050629.0
• 申請(qǐng)日: 2017-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106784206B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳秉揚(yáng);張中英;賴昭序;曾建堯;張潔;朱學(xué)亮;劉信佑;盧德恩;劉建明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門(mén)三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.氮化鎵基發(fā)光二極管，依次包括：n型氮化物層、有源層、電子阻擋層、能帶扭曲層和p型氮化物層，其特征在于：所述有源層表面上具有V型缺陷和連接所述V型缺陷的平面區(qū)，所述能帶扭曲層為具有足夠低的能隙的n型氮化物層，致使所述電子阻擋層之能帶扭曲，所述電子阻擋層及能帶扭曲層形成于平面區(qū)并向所述V型缺陷側(cè)壁區(qū)延伸，當(dāng)注入電流時(shí)促使空穴從平面區(qū)及V型缺陷處注入有源層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述能帶扭曲層的能隙Eg<3eV。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述能帶扭曲層為Al_x1In_(1-x1)N層，其中0<x1≤0. 4。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述能帶扭曲層為In_x2Ga_(1-x2)N層，其中0.07<x2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述能帶扭曲層的厚度為0.5~5nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述能帶扭曲層具有n型摻雜，其摻雜濃度為5×10¹⁷~ 5×10¹⁸ cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層與所述能帶扭曲層的間距為0≤d≤5nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層的材料為Al_x3In_(1-x3)N，其中 0.8<x3≤1。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層Al_x3In_(1-x3)N在V型缺陷的側(cè)壁處形成之厚度小于1nm。