[發明專利]Ga2O3肖特基二極管器件結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710050140.3
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN106887470B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 馮倩;邢翔宇;韓根全;李翔;方立偉;黃璐;張進成;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/34
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種Ga₂O₃肖特基二極管器件結構，自下而上包括高摻雜n型Ga₂O₃襯底和低摻雜n型Ga₂O₃外延層，該外延層上淀積有陽極電極，高摻雜襯底的下表面淀積有陰極電極，陽極與外延層接觸的部分形成肖特基接觸，陰極與襯底形成歐姆接觸，其特征在于：

所述低摻雜n型Ga₂O₃外延層上的肖特基接觸區域兩側分別設有M個凹槽，M≥4，凹槽的間距在0.3μm～0.5μm范圍內依次增加，且第一個凹槽位于陽極邊緣的正下方，第M個凹槽與第一個凹槽的距離為10μm～15μm，凹槽內生長有Al組分大于20％的AlGaO。

2.根據權利要求1所述的一種Ga₂O₃肖特基二極管器件結構，其特征在于：

高摻雜n型Ga₂O₃襯底的載流子濃度為10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3，厚度大于1μm；

低摻雜n型Ga₂O₃外延層的載流子濃度為10¹⁴cm^-3～10¹⁶cm^-3，厚度大于1μm。

3.根據權利要求1所述的一種Ga₂O₃肖特基二極管器件結構，其特征在于：

陽極電極包括Pt、Ni、Au、Pd、Mo、W和TaN中的一種或多種；

陰極電極包括Ti、Al、In、Au中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的一種Ga₂O₃肖特基二極管器件結構，其特征在于：每個凹槽的深度為30nm～50nm，寬度為2μm～3μm。