[發(fā)明專利]一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710049243.8
• 申請(qǐng)日: 2017-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107058981B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宗堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇菲沃泰納米科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/517
• 分類號(hào): C23C16/517;C09D4/00;C09D4/02;C09D5/08
• 代理公司: 大連理工大學(xué)專利中心 21200
• 代理人: 梅洪玉

1.一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)將基材置于等離子體室的反應(yīng)腔體內(nèi)，對(duì)反應(yīng)腔體連續(xù)抽真空，將反應(yīng)腔體內(nèi)的真空度抽到10-200毫托，通入惰性氣體或氮?dú)猓?/p>

(2)通入單體蒸汽到真空度為30-300毫托，開(kāi)啟等離子體放電，等離子體放電的功率為2～150W，放電時(shí)間為600～7200s，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，制備致密涂層；致密涂層沉積完成后，調(diào)節(jié)等離子體放電的功率為160～500W，放電時(shí)間為60～1000s，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，制備粗糙涂層；在基材表面上制備內(nèi)層為致密涂層、外層為粗糙涂層的低粘附、耐蝕涂層；

所述步驟(2)中通入的單體蒸汽成分為：

至少一種單官能度不飽和氟碳樹(shù)脂和至少一種多官能度不飽和烴類衍生物的混合物，所述單體蒸汽中多官能度不飽和烴類衍生物所占的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％-80％；

或

至少一種多官能度不飽和烴類衍生物和至少一種多官能度不飽和烴類衍生物的混合物；

所述單官能度不飽和氟碳樹(shù)脂包括：

3-(全氟-5-甲基己基)-2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯、2-全氟辛基丙烯酸乙酯、1H,1H,2H,2H-全氟辛醇丙烯酸酯、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、(2H-全氟丙基)-2-丙烯酸酯、(全氟環(huán)己基)甲基丙烯酸酯、3,3,3-三氟-1-丙炔、1-乙炔基-3,5-二氟苯或4-乙炔基三氟甲苯；

所述多官能度不飽和烴類衍生物包括：

乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二縮三丙二醇二丙烯酸酯、二乙烯苯、聚乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二丙烯酸乙二醇酯、二乙二醇二乙烯基醚或二丙烯酸新戊二醇酯；

(3)停止等離子體放電，停止通入單體蒸汽，持續(xù)抽真空，保持反應(yīng)腔體真空度為10-200毫托1-5min后通入大氣至一個(gè)大氣壓，然后取出基材即可；

所述步驟(1)中基材為金屬制品，所述金屬制品為銅、鐵、鋁、鎂及其合金制品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中等離子體室的容積為50-1000L，等離子體室的溫度控制在30～60℃；通入惰性氣體或氮?dú)獾牧髁繛?～300sccm，所述惰性氣體為氬氣或氦氣中的一種，或氬氣和氦氣的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中：

通入單體蒸汽為將單體通過(guò)加料泵進(jìn)行霧化、揮發(fā)，由低壓10-200毫托引入反應(yīng)腔體，所述通入單體蒸汽的流量為10-1000μL/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：所述單體為：

至少一種單官能度不飽和氟碳樹(shù)脂和至少一種多官能度不飽和烴類衍生物的混合物，所述單體蒸汽中多官能度不飽和烴類衍生物所占的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％-80％；

或

至少一種多官能度不飽和烴類衍生物和至少一種多官能度不飽和烴類衍生物的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中通入單體蒸汽之前進(jìn)行輝光放電對(duì)基材進(jìn)行轟擊預(yù)處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中所述等離子體放電方式為射頻放電、微波放電、中頻放電或電火花放電。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種低粘附、耐蝕涂層的制備方法，其特征在于：所述等離子體射頻放電過(guò)程中控制等離子體射頻的能量輸出方式為脈沖或連續(xù)輸出，等離子體射頻的能量輸出方式為脈沖輸出時(shí)，脈寬為2μs-1ms、重復(fù)頻率為20Hz-10kHz。