[發明專利]一種電沉積制備n型半導體ZnO薄膜的方法

有效

• 申請號: 201710048551.9
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN106653577B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 李麗波;王福日;楊雪瑩;王文濤
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電沉積制備n型半導體ZnO薄膜的方法，其特征在于：一種電沉積制備n型半導體ZnO薄膜的方法是按照以下步驟進行的：

一、導電玻璃的前處理

對導電玻璃進行前處理，待用；

二、電沉積制備n型半導體ZnO薄膜

采用石墨作為陽極，以步驟一前處理后的導電玻璃作為工作電極，將陽極和工作電極放入n型半導體ZnO薄膜電沉積液中并在電解槽中通入氧氣，進行恒壓電沉積，沉積后，取出工作電極，用蒸餾水清洗；

三、ZnO薄膜的熱處理

將步驟二得到的ZnO薄膜在溫度為60 ℃條件下，進行熱處理30 min， 隨爐冷卻至室溫，即完成制備n型半導體ZnO薄膜；

其中，步驟一所述的導電玻璃為FTO導電玻璃，

步驟二所述的n型半導體ZnO薄膜沉積液是由1.5~2.0 mol/L的Zn(NO₃)₂溶液和25 mol/L KNO₃，1 mol/L檸檬酸溶液組成，ZnO電沉積液的pH值為5.5；

步驟二所述的沉積電壓條件為1.6 V，沉積時間為10 min，溫度為50~70 ℃。

2.根據權利要求1所述的一種電沉積制備n型半導體ZnO薄膜的方法，其特征在于：步驟一所述的前處理步驟為：依次將FTO導電玻璃放到稀鹽酸中清洗1次、蒸餾水洗FTO導電玻璃8次，用洗衣粉水超聲清洗5次、用蒸餾水沖洗8次、丙酮清洗導電玻璃4次、用蒸餾水沖洗8次、以及無水乙醇清洗導電玻璃6次，用蒸餾水沖洗8次，然后吹干。

3.根據權利要求1所述的一種電沉積制備n型半導體ZnO薄膜的方法，其特征在于：步驟二中所述的n型半導體ZnO 電沉積液的pH值均是用63%的濃硝酸溶液進行調節的。