[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝模塊及其成形方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710048340.5
• 申請(qǐng)日: 2017-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN108336075B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 簡(jiǎn)伊辰;徐世昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于，包括至少下列步驟：

放置一覆晶式芯片于一承載基板上；

填入底膠于所述覆晶式芯片的電極間的空隙以支撐所述覆晶式芯片；

激光剝離所述覆晶式芯片的一成長(zhǎng)基板而形成一薄型化芯片，并且外露出所述薄型化芯片的一磊晶結(jié)構(gòu)；

粗化所述薄型化芯片外露的所述磊晶結(jié)構(gòu)；

提供一視角調(diào)整結(jié)構(gòu)于所述薄型化芯片；以及

選定一預(yù)定的視角，依據(jù)下列其中一算式調(diào)整所述視角調(diào)整結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)所述預(yù)定的視角，其中視角的單位為度；

算式一：視角＝117+0.05×波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層整體厚度；其中所述視角調(diào)整結(jié)構(gòu)包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層貼附于所述磊晶結(jié)構(gòu)；其中所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層整體厚度是由波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層頂面至所述磊晶結(jié)構(gòu)的底面的厚度；或

算式二：視角＝141.8-0.2709×反射墻的反射率％；其中視角調(diào)整結(jié)構(gòu)包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層及一反射墻，所述反射墻包覆所述磊晶結(jié)構(gòu)與所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；其中反射墻與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層頂面等高；或

算式三：視角＝141.9-0.2809×反射墻的反射率％；其中視角調(diào)整結(jié)構(gòu)包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層及一反射墻，所述反射墻包覆所述磊晶結(jié)構(gòu)與所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；其中反射墻高于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的頂面。

2.如權(quán)利要求1所述的可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于，依據(jù)算式一，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層延伸至所述磊晶結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，完全蓋住所述磊晶結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的寬度大于或等于所述磊晶結(jié)構(gòu)的寬度。

4.如權(quán)利要求1所述的可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于，依據(jù)算式三，所述反射墻超過所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的頂面10～50μm。

5.如權(quán)利要求1所述的可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的成形方法，其特征在于，所述承載基板具有電路結(jié)構(gòu)，所述覆晶式芯片的所述電極電性接觸于所述承載基板的所述電路結(jié)構(gòu)。

6.一種可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其是利用權(quán)利要求1方式所形成。

7.一種可提供預(yù)定視角的發(fā)光二極管封裝模塊的成形方法，其特征在于，包括至少下列步驟：

放置數(shù)個(gè)覆晶式芯片于一承載基板上；

填入底膠于每一所述覆晶式芯片的電極間的空隙以支撐所述覆晶式芯片；

激光剝離每一所述覆晶式芯片的一成長(zhǎng)基板而形成一薄型化芯片，并且外露出每一所述薄型化芯片的一磊晶結(jié)構(gòu)；

粗化每一所述薄型化芯片外露的所述磊晶結(jié)構(gòu)；

提供一視角調(diào)整結(jié)構(gòu)于每一所述薄型化芯片；以及

選定一預(yù)定的視角，依據(jù)下列其中一算式調(diào)整所述視角調(diào)整結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)所述預(yù)定的視角，其中視角的單位為度；

算式一：視角＝117+0.05×波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層整體厚度；其中所述視角調(diào)整結(jié)構(gòu)包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層貼附于所述磊晶結(jié)構(gòu)；其中所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層整體厚度是由波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層頂面至所述磊晶結(jié)構(gòu)的底面的厚度；或

算式二：視角＝141.8-0.2709×反射墻的反射率％；其中視角調(diào)整結(jié)構(gòu)包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層及一反射墻，所述反射墻包覆所述磊晶結(jié)構(gòu)與所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；其中反射墻與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層頂面等高；或

算式三：視角＝141.9-0.2809×反射墻的反射率％；其中視角調(diào)整結(jié)構(gòu)包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層及一反射墻，所述反射墻包覆所述磊晶結(jié)構(gòu)與所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；其中反射墻高于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的頂面。