[發明專利]半導體器件制造裝置

在審

• 申請號: 201710048206.5
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN107017189A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 申宰哲;李鐘喆;崔釿奎;鄭珉和;鄭淑真
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件制造裝置，所述半導體器件制造裝置包括：

設置在腔室的頂部的噴頭；

設置在所述噴頭上的供氣部件；

設置在所述腔室中的基座；以及

設置在所述腔室之下的排氣部件，

其中：

所述腔室具有彼此連通但實際上彼此隔開的第一反應空間和第二反應空間；

所述供氣部件包括被配置為將第一氣體供應進所述第一反應空間內的第一供氣管和被配置為將第二氣體供應進所述第二反應空間內的第二供氣管；以及

所述排氣部件包括：鄰近所述第一反應空間設置的第一排氣管和鄰近所述第二反應空間設置的第二排氣管，所述第一排氣管和第二排氣管設置在所述基座的彼此對立的側；第一氣體傳感器，其連接到所述第一排氣管并且配置為感測所述第二氣體；以及第二氣體傳感器，其連接到所述第二排氣管并且配置為感測所述第一氣體。

2.如權利要求1所述的半導體器件制造裝置，其中：

所述第一氣體傳感器對所述第一氣體不敏感并且對所述第二氣體敏感；以及

所述第二氣體傳感器對所述第一氣體敏感并且對所述第二氣體不敏感。

3.如權利要求1所述的半導體器件制造裝置，其中所述第一氣體傳感器不感測所述第一氣體，所述第二氣體傳感器不感測所述第二氣體。

4.如權利要求1所述的半導體器件制造裝置，其中：

所述第一供氣管、所述第一反應空間和所述第一排氣管的開口垂直地彼此對準；以及

所述第二供氣管、所述第二反應空間和所述第二排氣管的開口垂直地彼此對準。

5.如權利要求1所述的半導體器件制造裝置，其中所述噴頭包括：

上板，其具有連接到所述第一供氣管的第一氣體入口和連接到所述第二供氣管的第二氣體入口；以及

下板，其具有被配置為將所述第一氣體供應進所述第一反應空間內的多個第一氣體出口和被配置為將所述第二氣體供應進所述第二反應空間內的多個第二氣體出口。

6.如權利要求5所述的半導體器件制造裝置，其中：

所述噴頭包括由所述上板和所述下板限定的且彼此隔開的第一內室和第二內室；

所述第一氣體入口、所述第一內室和所述第一反應空間在空間上且垂直地彼此對準；以及

所述第二氣體入口、所述第二內室和所述第二反應空間在空間上且垂直地彼此對準。

7.如權利要求6所述的半導體器件制造裝置，其中所述下板還包括向上凸出以限定所述第一內室和所述第二內室的一個或更多個隔開物。

8.如權利要求6所述的半導體器件制造裝置，其中：

所述腔室還包括與所述第一反應空間和所述第二反應空間連通但實際上隔開的第三反應空間和第四反應空間；以及

所述供氣部件還包括被配置為將第三氣體供應進所述第三反應空間內的第三供氣管和被配置為將第四氣體供應進所述第四反應空間內的第四供氣管。

9.如權利要求8所述的半導體器件制造裝置，其中：

所述噴頭還包括與所述第一內室和所述第二內室隔開的第三內室和第四內室；

所述上板還包括連接到所述第三供氣管的第三氣體入口和連接到所述第四供氣管的第四氣體入口；

所述第三供氣管、所述第三氣體入口、所述第三內室和所述第三反應空間在空間上且垂直地彼此對準；以及

所述第四供氣管、所述第四氣體入口、所述第四內室和所述第四反應空間在空間上且垂直地彼此對準。

10.如權利要求1所述的半導體器件制造裝置，其中所述排氣部件還包括：

設置在所述第一排氣管中的第一氣泵；以及

設置在所述第二排氣管中的第二氣泵。