[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710048130.6
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN107086205B
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)根重信
• 申請（專利權(quán)）人: 納普拉有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其具備：

半導(dǎo)體元件；

殼體，其收納所述半導(dǎo)體元件；

基座，其在所述殼體的內(nèi)部支撐所述半導(dǎo)體元件，發(fā)揮作為將所述半導(dǎo)體元件發(fā)出的熱散熱的散熱部件的功能；

配線部件，其配設(shè)在所述殼體的內(nèi)部，與所述半導(dǎo)體元件電連接；和

密封層，其填充在所述殼體的內(nèi)部，將所述半導(dǎo)體元件、所述配線部件密封，

其中，所述密封層由納米復(fù)合物結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述納米復(fù)合物結(jié)構(gòu)由1μm以下的粒徑的由SiO₂構(gòu)成的絕緣性納米微粒和將這些絕緣性納米微粒的周圍沒有間隙地填埋的非晶二氧化硅構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件構(gòu)成電力設(shè)備。