[發明專利]陣列基板的制作方法及陣列基板

在審

• 申請號: 201710047874.6
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN106847742A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 劉海燕;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術領域

本發明涉及平板顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術

隨著平板顯示的發展，高分辨率，低能耗的面板需求不斷被提出。其中AMOLED(有源矩陣有機發光二極管)面板因其色域廣、對比度高、分辨率高、輕薄、功耗低、響應速度快及具有柔韌性等LCD(液晶顯示屏)難以做到的優點，得到了市場和行業內的高度關注

AMOLED面板的陣列基板包括LTPS TFT(低溫多晶硅薄膜晶體管)、鈍化層、平坦化層和陽極等，LTPS TFT包括具有高遷移率的多晶硅半導體層和源/漏極，源/漏極與多晶硅半導體層連接，AMOLED陽極通過鈍化層過孔和平坦化層灰化實現與源/漏極的搭接，通過向多晶硅半導體層和源/漏極提供電流，進而驅動AMOLED的陽極。然而，在傳統的制作陣列基板的過程中，通常采用氧氣對平坦化層進行灰化，由于源/漏極的表面材質為金屬，在灰化過程中，氧氣的存在導致源/漏極表面的金屬部分被氧化成金屬氧化物，從而導致源/漏極與AMOLED的陽極的搭接電阻偏大，進而導致含有上述方法制作的陣列基板的屏幕在使用時出現發熱、色彩顯示不均及功耗高等不良問題，其中，搭接電阻為源/漏極與AMOLED的陽極接觸時產生的電阻。

發明內容

基于此，有必要提供針對采用傳統方法制得的陣列基板中源/漏極與AMOLED的陽極的搭接電阻偏大，進而導致含有上述方法制作的屏幕在使用時出現發熱、色彩顯示不均及功耗高等技術問題，提供一種陣列基板的制作方法及采用上述陣列基板的制作方法獲得的陣列基板。

一種陣列基板的制作方法，包括：在包括源極和漏極的薄膜晶體管上形成具有第一過孔的鈍化層，所述第一過孔用于暴露所述源極或所述漏極；在所述鈍化層上形成平坦化層；對所述平坦化層進行黃光曝光顯影處理，得到含有第二過孔圖案的平坦化層；采用O₂和氧化抑制劑對所述含有第二過孔圖案的平坦化層進行灰化處理，得到含有第二過孔的平坦化層，所述第二過孔與所述第一過孔對齊；在所述含有第二過孔的平坦化層上形成陽極電極，所述陽極電極依次穿過所述第二過孔及所述第一過孔并與所述源極或所述漏極連接。

在其中一個實施例中，所述氧化抑制劑包括N₂。

在其中一個實施例中，所述氧化抑制劑包括Cl₂、Br₂和BCl₃中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述采用O₂和氧化抑制劑對所述含有第二過孔圖案的平坦化層進行灰化處理，包括如下步驟：

采用O₂對所述含有第二過孔圖案的平坦化層進行第一次灰化處理；

采用氧化抑制劑對完成第一次灰化處理的所述含有第二過孔圖案的平坦化層進行第二次灰化處理。

在其中一個實施例中，所述平坦化層的材質為有機絕緣材料。

在其中一個實施例中，所述平坦化層的厚度為1.5μm～3.5μm。

在其中一個實施例中，所述對所述平坦化層進行黃光曝光顯影處理，得到含有第二過孔圖案的平坦化層之后，所述采用O2和氧化抑制劑對所述含有第二過孔圖案的平坦化層進行灰化處理，得到含有第二過孔的平坦化層之前，還包括如下步驟：

在200℃～400℃溫度范圍內，對所述含有第二過孔圖案的平坦化層進行高溫靜置。

在其中一個實施例中，所述源極和所述漏極均包括相互疊置的鈦層/鋁層/鈦層。

在其中一個實施例中，所述源極和所述漏極的材質均為鈦。

一種陣列基板，采用如上述任意一項所述陣列基板的制作方法制作得到。

上述陣列基板的制作方法及其陣列基板，在陣列基板的制作方法中，通過采用O₂和氧化抑制劑對含有第二過孔圖案的平坦化層進行灰化處理，去除黃光曝光及顯影工藝后殘留的平坦化層材質，較好地避免了源極或漏極表面的金屬部分在灰化處理過程中被氧化成金屬氧化物的情況出現，從而能夠較好地避免源極或漏極與陽極電極的搭接電阻偏大，導致含有上述方法制作的陣列基板的屏幕在使用時出現發熱、色彩顯示不均及功耗高等不良問題。

附圖說明

圖1為一實施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖2為一實施例的陣列基板的結構示意圖。

具體實施方式