[發明專利]用于觸摸傳感器的可轉移納米復合材料有效
| 申請號: | 201710047795.5 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN107562251B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 王海量 | 申請(專利權)人: | 寧波科廷光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;B32B27/08;B32B23/08;B32B23/20;B32B27/30;B32B27/40;B32B27/36;B32B27/28;B32B27/38;B32B17/10;B32B7/06;B32B7/12 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 315000 浙江省寧波市高*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 觸摸 傳感器 轉移 納米 復合材料 | ||
1.一種可轉移的導電納米復合材料,包含:
一導電納米復合材料層;和
一保護膜;
其中,所述導電納米復合材料層與所述保護膜均具有前表面和后表面;
其中,所述導電納米復合材料層的前表面面對所述保護膜的后表面;并且
其中,所述導電納米復合材料層包含導電納米材料和聚合物;
在所述導電納米復合材料層的前表面處或附近的所述導電納米材料的濃度,高于在所述導電納米復合材料層的后表面處或附近的所述導電納米材料的濃度。
2.根據權利要求1所述的可轉移的導電納米復合材料,其特征在于,還包含一分離薄膜;
其中,所述分離薄膜具有前表面和后表面;
其中,所述導電納米復合材料層的后表面面對所述分離薄膜;
其中,所述分離薄膜粘附至所述導電納米復合材料層的后表面,并且所述保護膜粘附到導電納米復合材料層的前表面;并且
其中,所述保護膜和所述導電納米復合材料層的前表面之間的粘附力高于所述分離薄膜和所述導電納米復合材料層的后表面之間的粘附力。
3.根據權利要求1所述的可轉移的導電納米復合材料,其特征在于,還包含一分離薄膜;
其中,所述分離薄膜具有前表面和后表面;
其中,所述導電納米復合材料層的后表面面對所述分離薄膜;
其中,所述分離薄膜粘附到所述導電納米復合材料層的后表面,并且所述保護膜粘附到所述導電納米復合材料層的前表面;并且
其中,所述導電納米復合材料層與所述分離薄膜之間的粘附力,以及所述導電納米復合材料層與所述保護膜之間的粘附力,可被設置,以使得當將所述分離薄膜從所述導電納米復合材料層的后表面剝離時,所述保護膜保持粘附到所述導電納米復合材料層的前表面。
4.根據權利要求1所述的可轉移的導電納米復合材料,其特征在于,所述導電納米材料包括:納米線,納米帶,納米管,納米顆粒,或其任何組合;并且
其中所述的導電納米復合材料層的聚合物包括:聚丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸酯,聚氨酯丙烯酸酯,聚異氰脲酸酯丙烯酸酯,聚環氧化物或其任何組合。
5.根據權利要求1所述的可轉移的導電納米復合材料,其特征在于,所述導電納米材料包括:銀納米線,銅納米線,金納米線,不銹鋼納米線,或者其任何組合;并且
其中,所述導電納米復合材料層的聚合物包括:聚丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸酯,聚氨酯丙烯酸酯,聚異氰脲酸酯丙烯酸酯,聚環氧化物或其任何組合。
6.根據權利要求2所述的可轉移的導電納米復合材料,其特征在于,所述保護膜和/或所述分離薄膜包含:聚對苯二甲酸乙二酯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚碳酸酯,聚萘二甲酸乙二醇酯,三乙酸纖維素,聚酰亞胺,或其任何組合。
7.一種透明導電電極,包含:
一導電納米復合材料層;
一層壓層;以及
透明基板;
其中,所述導電納米復合材料層,所述層壓層和所述透明基板都具有前表面和后表面;
其中,所述層壓層的前表面面對所述導電納米復合材料層的后表面;
其中,所述透明基板的前表面面對所述層壓層的后表面;
其中,所述層壓層位于所述導電納米復合材料層和所述透明基板之間;并且
其中,所述導電納米復合材料層包含導電納米材料和聚合物;
在所述導電納米復合材料層的前表面處或附近的所述導電納米材料的濃度,高于在所述導電納米復合材料層的后表面處或附近的所述導電納米材料的濃度。
8.根據權利要求7所述的透明導電電極,還包含保護膜;其中所述保護膜具有前表面和后表面;且其中所述保護膜的后表面面對所述導電納米復合材料層的前表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寧波科廷光電科技有限公司,未經寧波科廷光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710047795.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





