[發(fā)明專利]一種對(duì)金屬鈰表面進(jìn)行改性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710047335.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN106835015B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張政軍;梁威;劉柯釗;胡殷;陳志磊;陳麗敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C8/36;C23C14/46;C23C28/04
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 邸更巖

1.一種對(duì)金屬鈰表面進(jìn)行改性的方法，其特征在于該方法按如下步驟進(jìn)行:

1)采用雙離子束濺射沉積系統(tǒng)，利用輔源對(duì)拋光的金屬鈰表面進(jìn)行氬離子濺射清洗，系統(tǒng)工作壓強(qiáng)為0.8×10^-2Pa～1.0×10^-2Pa；

2)同時(shí)開啟主源和輔源，主源采用氬離子，氬氣流量為6sccm～8sccm，輔源采用氮離子，氮?dú)饬髁繛?sccm～5sccm，對(duì)清洗后的金屬鈰進(jìn)行反應(yīng)濺射氮化處理，形成一層氮化鈰鍍層，系統(tǒng)工作壓強(qiáng)為1.0×10^-2Pa～2.3×10^-2Pa；

3)在雙離子束系統(tǒng)不打開真空腔室的條件下，自動(dòng)旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)至氮化鈦陶瓷靶，系統(tǒng)工作壓強(qiáng)控制在1.0×10^-2Pa～2.3×10^-2Pa，進(jìn)行氮化鈦鍍層濺射沉積，使氮化鈰鍍層上面再形成一層氮化鈦鍍層，最終在金屬鈰表面形成氮化鈰和氮化鈦復(fù)合的雙層鍍層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對(duì)金屬鈰表面進(jìn)行改性的方法，其特征在于：進(jìn)行氬離子濺射清洗時(shí)，氬離子能量為500eV～700eV，氬離子束流為30mA～70mA。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種對(duì)金屬鈰表面進(jìn)行改性的方法，其特征在于：主源氬離子能量為2000eV～2700eV、束流為60mA～90mA，輔源氮離子能量為400eV～500eV、束流為25mA～45mA。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種對(duì)金屬鈰表面進(jìn)行改性的方法，其特征在于：生成的氮化鈰鍍層厚度為0.8μm～1μm范圍，氮化鈦鍍層厚度為200nm-500nm。