[發明專利]一種硅表面金屬化方法

在審

• 申請號: 201710046807.2
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN106653630A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 孫旭東;惠宇;畢孝國;劉旭東
• 申請（專利權）人: 大連大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 大連智高專利事務所(特殊普通合伙)21235
• 代理人: 畢進

1.一種硅表面金屬化方法，其特征在于，具體包括：通過激光掃描，在硅基板表面完全覆蓋上激光燒結的金屬導電層。

2.根據權利要求1所述一種硅表面金屬化方法，其特征在于，上述方法使用的激光為CO2激光，波長為10.6μm。

3.根據權利要求1所述一種硅表面金屬化方法，其特征在于，所述金屬導電層為均勻金屬導電層。

4.根據權利要求1所述一種硅表面金屬化方法，其特征在于，上述方法具體實施步驟為：

步驟一：根據硅基板尺寸，繪制出金屬化形狀；

步驟二：在硅基板表面的金屬化形狀內涂覆金屬粉末，厚度在1-100微米之間，放到烘箱里進行干燥處理；

步驟三：將涂覆金屬粉末層的硅基板放到激光工作臺上，進行激光掃描，激光掃描燒結結束，硅表面全部金屬化。

5.根據權利要求4所述一種硅表面金屬化方法，其特征在于，上述還包括：

步驟四：金屬化處理后的硅基板等待焊接，或者進行表面電路刻蝕。

6.根據權利要求1-5任一項所述一種硅表面金屬化方法，其特征在于，所述硅基板包括單晶硅，多晶硅基板。

7.根據權利要求4所述一種硅表面金屬化方法，其特征在于，所述的金屬粉末包括銅粉，鉬粉，銀粉，鎢粉，鉻粉，鈦粉，粒度在0.3-10μm之間。