[發明專利]一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201710046512.5 | 申請日： | 2017-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN106876533B | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發明（設計）人： | 史志鋒;李營;吉慧芳;雷玲芝;李新建 | 申請（專利權）人： | 鄭州大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/26;H01L33/44 |
| 代理公司： | 鄭州優盾知識產權代理有限公司 41125 | 代理人： | 董曉慧 |
| 地址： | 450001 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 mgo cspbbr3 結構 發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件，包括絕緣的襯底（1），其特征在于：襯底（1）上依次設有n型的電子提供層（2）、CsPbBr3發光層（3）、MgO絕緣層（4）以及接觸電極（5）；其中，采用射頻磁控濺射方法在襯底1上沉積n型的電子提供層；襯底1為雙面拋光的Al2O3襯底。
2.根據權利要求1所述的一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件，其特征在于：所述襯底（1）為雙面拋光的Al2O3襯底，襯底的厚度為300~400微米。
3.根據權利要求1所述的一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件，其特征在于：n型的電子提供層（2）為ZnO或TiO2半導體材料，其厚度為300~450納米。
4.根據權利要求1所述的一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件，其特征在于：CsPbBr3發光層（3）的厚度為50~100納米。
5.根據權利要求1所述的一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件，其特征在于：MgO絕緣層（4）的濺射溫度為200~350℃，厚度為40~50納米，電阻率為108~1011歐姆?厘米。
6.一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件的制備方法，其特征在于是按照下述步驟進行的：
（1）清洗襯底（1）；
（2）采用射頻磁控濺射方法在襯底（1）上沉積n型的電子提供層（2）；
（3）在n型的電子提供層（2）上利用低溫溶液法或氣相蒸發法制備CsPbBr3發光層（3）；
（4）采用射頻磁控濺射方法在CsPbBr3發光層（3）上沉積MgO絕緣層（4）；
（5）采用熱蒸發法在MgO絕緣層（4）上制備圓形的接觸電極（5）。
7.根據權利要求6所述的一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件的制備方法，其特征在于：步驟（2）中n型的電子提供層（2）的濺射采用高純氬氣作為工作氣體，高純氧氣作為反應氣體，氬氣和氧氣的流量比為3:1。
8.根據權利要求6所述的一種基于MgO-CsPbBr3結構的發光器件的制備方法，其特征在于：步驟（3）中CsPbBr3發光層（3）是采用一步溶液法制備的：
將CsBr與PbBr2粉末混合溶于二甲基甲酰胺溶液中，用磁力攪拌器在65℃條件下攪拌24小時得到混合溶液；
在惰性氣體保護下，將混合溶液用旋涂的方式均勻旋涂在n型的電子提供層（2）上，旋涂條件為：500轉每分鐘/5秒，3000轉每分鐘/25秒；最后對旋涂后的樣品進行退火處理，退火溫度為120℃，時間為10分鐘。
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