[發(fā)明專(zhuān)利]曝光裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710046251.7
• 申請(qǐng)日: 2017-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107015442A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)家一馬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在電路圖案的縮小投影中使用的曝光裝置。

背景技術(shù)

通過(guò)劃片裝置等將由分割預(yù)定線劃分而在正面上形成有IC、LSI等多個(gè)器件的晶片分割成各個(gè)器件芯片，并將器件芯片應(yīng)用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備中。

關(guān)于晶片上的各器件，通過(guò)以下方式而構(gòu)成為三維電路：在硅基板等半導(dǎo)體基板的上表面上覆蓋抗蝕膜，通過(guò)一種被稱(chēng)為步進(jìn)器的曝光裝置對(duì)電路圖案進(jìn)行縮小投影并重復(fù)多次進(jìn)行蝕刻和投影。

曝光裝置具有：光源，其發(fā)出紫外線激光；被稱(chēng)為標(biāo)線片的掩模，其以圖案為單位而構(gòu)成，該圖案以多個(gè)器件為一組；以及投影透鏡，該曝光裝置一邊使待投影的基板與投影透鏡相對(duì)地移動(dòng)，一邊將希望的縮小圖案投影于半導(dǎo)體基板的上表面(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平4-225357號(hào)公報(bào)

然而，由于投影透鏡構(gòu)成為從投影出圖案的中央處到外周不會(huì)產(chǎn)生像差，所以存在價(jià)格昂貴的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種曝光裝置，使曝光裝置低成本。

本發(fā)明是曝光裝置，該曝光裝置具有光源、照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模以及投影光學(xué)系統(tǒng)，掩模構(gòu)成為形成有多個(gè)小掩模，該小掩模由將構(gòu)成1個(gè)器件的圖案分割成多個(gè)區(qū)域而得的小圖案構(gòu)成，投影光學(xué)系統(tǒng)由與小掩模對(duì)應(yīng)的大小構(gòu)成，小圖案被縮小投影在基板上。

優(yōu)選小掩模配設(shè)在掩模選擇單元中，該掩模選擇單元選擇性地定位在投影光學(xué)系統(tǒng)上，小圖案被縮小投影在構(gòu)成1個(gè)器件的區(qū)域所需的位置處。并且，小圖案可以被投影成一部分重疊而使配線的圖案連結(jié)，小圖案也可以被投影成彼此不重疊，對(duì)配線用圖案進(jìn)行投影而使小圖案與小圖案的配線連結(jié)。

優(yōu)選供小圖案進(jìn)行縮小投影的基板的大小為例如直徑為10mm～20mm。

本發(fā)明的曝光裝置的掩模由多個(gè)小掩模構(gòu)成，該小掩模由將構(gòu)成1個(gè)器件的圖案分割成多個(gè)區(qū)域而得的小圖案構(gòu)成，由于投影光學(xué)系統(tǒng)由與小掩模對(duì)應(yīng)的大小構(gòu)成并且小圖案被縮小投影到基板上，所以代替由隨著投影面積變大而累積性地要求像差的精度的價(jià)格高昂的透鏡構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)，能夠使用由投影面積小的像差的影響少的小型的透鏡構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)，并能夠低成本地提供曝光裝置。

并且，小掩模配設(shè)在掩模選擇單元中，該掩模選擇單元選擇性地定位在投影光學(xué)系統(tǒng)上，小圖案被縮小投影在構(gòu)成1個(gè)器件的區(qū)域所需的位置處，由此，在1臺(tái)曝光裝置中能夠高效地切換小圖案而進(jìn)行曝光并對(duì)用于制造出1個(gè)器件的圖案進(jìn)行縮小投影。

通過(guò)使小圖案縮小投影成一部分相重疊而使配線的圖案連結(jié)，或者使小圖案縮小投影成不重復(fù)，對(duì)配線用圖案進(jìn)行投影而使小圖案與小圖案的配線連結(jié)，能夠?qū)⑾噜彽男D案彼此可靠地連接。

附圖說(shuō)明

圖1是示出在曝光裝置中使用第1實(shí)施方式的掩模的情況的立體圖。

圖2的(a)、(b)、(c)和(d)是示出使用第1實(shí)施方式的掩模來(lái)對(duì)圖案進(jìn)行投影的順序的俯視圖。

圖3是示出顯影后的工件的俯視圖。

圖4是示出掩模的第2實(shí)施方式的立體圖。

圖5的(a)、(b)、(c)和(d)是示出使用第2實(shí)施方式的掩模來(lái)對(duì)圖案進(jìn)行投影的順序的俯視圖。

圖6是示出對(duì)使用第2實(shí)施方式的掩模來(lái)投影出圖案的工件實(shí)施了配線之后的工件的俯視圖。

圖7是示出掩模的第3實(shí)施方式的立體圖。

圖8是示出掩模的第4實(shí)施方式的立體圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1：曝光裝置；2：保持工作臺(tái)；20吸引部；21：框體；3：光源；4：照明光學(xué)系統(tǒng)；5：投影光學(xué)系統(tǒng)；6：掩模選擇單元；60A、60B、60C、60D：小掩模；61：旋轉(zhuǎn)軸；7：X方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；70：軌道；71：移動(dòng)基臺(tái)；8：Y方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；80：軌道；81：移動(dòng)基臺(tái)；600：掩模選擇單元；60A’、60B’、60C’、60D’：小掩模；9：掩模選擇單元；9A、9B、9C、9D：小掩模；10：掩模選擇單元；100：片材；101：輸送輥；102：卷取輥；103、104：輥；10A、10B、10C、10D：小掩模；200：工件；201：硅基板；202：光致抗蝕膜；203：器件形成部；A、B、C、D、A’、B’、C’、D’：曝光區(qū)域；AB、BC、CD、DA、ABC、ABCD：重復(fù)區(qū)域。

具體實(shí)施方式