[發明專利]控制硅納米線走向的裝置有效
| 申請號: | 201710046206.1 | 申請日: | 2017-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN106876520B | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發明(設計)人: | 巢炎;劉先歡;王志權;姚安琦;吳立群;席俊華 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0236;C23F1/08;C23F1/24;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人: | 周希良 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 納米 走向 裝置 | ||
1.控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:包括反應釜體、可調電源、控制單元、盛放蝕刻溶液器皿和泵,所述反應釜體的中部設有硅片架,所述反應釜體由所述硅片架及硅片平分為左右兩個腔室,所述盛放蝕刻溶液器皿通過管道分別連接至所述兩個腔室,所述泵設于所述管道的前端,所述反應釜體的頂部設有端蓋,所述端蓋上設有環形導軌和滑塊,所述滑塊與所述環形導軌相匹配,所述兩個腔室分別設有惰性電極,所述惰性電極與所述硅片架相對面為平面,所述惰性電極通過穿設于所述端蓋及所述滑塊的長螺栓與所述可調電源電連接,兩個長螺栓通過連桿連接,所述可調電源和所述泵分別受所述控制單元的控制。
2.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述惰性電極與所述連桿之間的長螺栓上套設有第一彈性體。
3.根據權利要求2所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述第一彈性體為長彈簧。
4.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述硅片架通過短螺栓與所述端蓋連接,所述連桿的中部設有帶孔的連接部,所述連接部套設于所述短螺栓上,所述連接部與所述端蓋之間的短螺栓上套設有第二彈性體。
5.根據權利要求4所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述第二彈性體為短彈簧。
6.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述反應釜體為圓筒狀,所述惰性電極的背面為圓弧面,所述圓弧面與所述反應釜體內壁貼合。
7.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述端蓋上在所述環形導軌的外周設有分度盤。
8.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述長螺栓的上端設有鎖緊螺母。
9.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述惰性電極與所述可調電源的連線上設有電阻。
10.根據權利要求1所述的控制硅納米線走向的裝置,其特征在于:所述兩個腔室內分別設有液位傳感器。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





