[發(fā)明專利]肖特基二極管及肖特基二極管陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710045817.4 | 申請日： | 2017-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN108336149B | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙宇丹;肖小陽;王營城;金元浩;張?zhí)旆?/a>;李群慶 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L25/07 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 肖特基 二極管 陣列 | ||
1.一種肖特基二極管，其包括：一絕緣基底及至少一肖特基二極管單元，所述至少一肖特基二極管單元設置在絕緣基底的表面；所述肖特基二極管單元包括一第一電極，一半導體結構及一第二電極；所述第一電極設置在絕緣基底的表面，所述半導體結構包括一第一端及與第一端相對的第二端，所述半導體結構的第一端鋪設在第一電極上使第一電極位于半導體結構的第一端和絕緣基底之間，第二端設置在絕緣基底的表面，所述第二電極設置在半導體結構的第二端并使半導體結構的第二端位于第二電極和絕緣基底之間，所述半導體結構為一碳納米管結構。
2.如權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述碳納米管結構為單根的半導體型的碳納米管，該碳納米管從第一電極延伸至第二電極。
3.如權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述碳納米管結構為一碳納米管膜，該碳納米管膜的厚度小于等于100納米。
4.如權利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，碳納米管膜包括多根碳納米管，所述多根碳納米管中，半導體型碳納米管的質量百分含量大于等于80％小于等于100％。
5.如權利要求4所述的肖特基二極管，其特征在于，所述碳納米管膜由多根相互平行的碳納米管組成，所述碳納米管從第一電極延伸至第二電極。
6.如權利要求4所述的肖特基二極管，其特征在于，所述碳納米管膜為一碳納米管有序膜，該碳納米管有序膜包括多個按一定規(guī)律排列的碳納米管。
7.如權利要求4所述的肖特基二極管，其特征在于，碳納米管膜為一碳納米管無序膜，該碳納米管無序膜包括多個無序隨機排列的碳納米管。
8.如權利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于，碳納米管無序膜為一由多個碳納米管組成的網(wǎng)絡結構。
9.一種肖特基二極管陣列，其包括：一絕緣基底及多個肖特基二極管單元，該多個肖特基二極管單元以陣列的形式排列設置在絕緣基底的表面，每個肖特基二極管單元之間相互間隔設置，所述肖特基二極管單元包括一第一電極，一半導體結構及一第二電極；所述第一電極設置在絕緣基底的表面，所述半導體結構包括一第一端及與第一端相對的第二端，所述半導體結構的第一端鋪設在第一電極上使第一電極位于半導體結構的第一端和絕緣基底之間，第二端設置在絕緣基底的表面，所述第二電極設置在半導體結構的第二端并使半導體結構的第二端位于第二電極和絕緣基底之間，所述半導體結構為一碳納米管結構。
10.如權利要求9所述的肖特基二極管陣列，其特征在于，所述碳納米管結構為單根的半導體型碳納米管或一碳納米管膜，該碳納米管膜的厚度小于等于200納米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
